类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（VDS）：100V
　　连续漏极电流（ID）：20A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：8.7mΩ（典型值）
　　栅极电荷（QG）：5.8nC（典型值）
　　输出电容（COSS）：230pF（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：DFN 8x8mm
　　栅极驱动电压：5V（推荐）
　　功耗（PD）：4.8W（在25°C）

EZ1587IM.TR具备多项先进特性，使其在高频电源转换应用中表现出色。首先，其导通电阻仅为8.7mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件具有极低的栅极电荷（QG）和输出电容（COSS），有助于实现快速的开关操作，从而减少开关损耗并提高开关频率。这使得EZ1587IM.TR非常适合用于高频DC-DC转换器、同步整流器和电机控制等应用。
　　EZ1587IM.TR采用增强型（常关）结构，确保在栅极驱动故障或断开时器件处于关闭状态，提升了系统的安全性和可靠性。此外，其DFN封装具有良好的热管理性能，能够有效地将热量传导至PCB，从而在高电流工作条件下保持稳定的性能。
　　该器件支持高达100V的漏源电压，适用于多种电源拓扑结构，包括Buck、Boost和半桥结构。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）使其能够在严苛的环境条件下稳定运行，适用于工业、汽车和通信等高要求领域。

EZ1587IM.TR广泛应用于需要高效率和高频开关的电源系统中。例如，在服务器电源、电信整流器、DC-DC转换模块和电池充电器中，该器件可以显著提升转换效率并减小系统体积。此外，其快速开关特性和低导通损耗使其成为同步整流电路的理想选择，广泛用于高频率的AC-DC和DC-DC变换器。
　　在汽车电子领域，EZ1587IM.TR可用于车载充电器（OBC）、48V轻混系统以及车载DC-DC转换器，满足汽车应用中对高可靠性和高效率的需求。在工业自动化设备和电机控制中，该器件也能够提供高效的功率开关解决方案，提升系统响应速度和能效。
　　由于其卓越的高频性能，EZ1587IM.TR还被用于无线充电系统、LED驱动电源以及高密度电源模块中，帮助设计工程师实现更紧凑、更高效的电源设计。

EPC2045, EPC2034, GS61004B