MSA-0184-TR1G 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology)推出的射频(RF)放大器芯片,专为高性能通信系统和射频前端模块设计。该器件采用高电子迁移率晶体管(HEMT)技术制造,具有优异的高频性能和高可靠性,适用于需要低噪声、高增益和高线性度的射频应用。
频率范围:1.8 GHz - 4.0 GHz
增益:20 dB(典型值)
输出IP3:+34 dBm(典型值)
工作电压:+5V 至 +7V
工作电流:600 mA(典型值)
封装类型:28引脚 QFN
输入/输出阻抗:50Ω
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
MSA-0184-TR1G 是一款高性能的 GaAs HEMT 射频功率放大器,广泛应用于无线基础设施、蜂窝基站、微波通信和军事电子系统中。该芯片支持 1.8 GHz 至 4.0 GHz 的宽频段操作,使其适用于多种现代通信标准,包括 4G LTE、WiMAX 和 5G 毫米波系统。该放大器具有 20 dB 的典型增益,在整个工作频段内表现出良好的增益平坦度,确保信号的稳定放大。
MSA-0184-TR1G 的三阶交调截距(IP3)达到 +34 dBm,显示出卓越的线性性能,适合处理高动态范围信号。该器件的工作电压范围为 5V 至 7V,典型工作电流为 600 mA,设计上兼顾了效率与稳定性。其采用的 28 引脚 QFN 封装不仅体积小巧,而且具备良好的热管理和高频性能,便于集成到紧凑型射频系统中。
该芯片在输入和输出端均采用 50Ω 阻抗匹配,简化了外部电路设计,减少了外部匹配元件的数量。此外,其宽工作温度范围(-40°C 至 +85°C)确保了在各种恶劣环境下的可靠运行。MSA-0184-TR1G 还内置了过温保护和过流保护功能,增强了系统稳定性并延长了设备使用寿命。
MSA-0184-TR1G 主要用于各类高性能射频系统中,作为主功率放大器或驱动放大器。它广泛应用于蜂窝通信基站、无线回传系统、微波通信设备、军用通信装置以及测试与测量仪器等场景。其宽频段特性和高线性度使其成为多频段射频前端的理想选择,同时也适用于需要高稳定性和高效率的工业和通信设备。此外,该芯片也可用于卫星通信、雷达系统和射频功率模块设计等领域。
HMC819LC5, MGA-634P27, RFPA2843