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MCH3219-TL-E 发布时间 时间:2025/9/21 1:57:45 查看 阅读:8

MCH3219-TL-E是一款由Magnachip生产的高性能、高可靠性N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。该器件采用先进的高压工艺制造,具备优良的导通电阻与栅极电荷平衡特性,能够在高效率和小尺寸封装之间实现良好折衷。MCH3219-TL-E采用SOT-23(或类似小型表面贴装)封装形式,适合对空间要求严苛的便携式电子设备,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备及物联网终端。其低阈值电压特性使其兼容3.3V或更低逻辑电平的直接驱动,无需额外的电平转换电路,提升了系统集成度和设计灵活性。此外,该器件具有良好的热稳定性和抗雪崩能力,能够在较宽的工作温度范围内保持性能稳定,适用于工业级和消费级应用环境。

参数

型号:MCH3219-TL-E
  类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):20V
  栅源电压(VGS):±12V
  连续漏极电流(ID):4.4A @ 25°C
  脉冲漏极电流(IDM):17.6A
  导通电阻(RDS(on)):18mΩ @ VGS=4.5V;23mΩ @ VGS=2.5V
  阈值电压(Vth):0.6V ~ 1.2V
  输入电容(Ciss):450pF @ VDS=10V
  反向传输电容(Cres):50pF @ VDS=10V
  工作结温范围(Tj):-55°C ~ +150°C
  封装形式:SOT-23

特性

MCH3219-TL-E具备优异的电气性能和热管理能力,其核心优势在于低导通电阻与低栅极电荷的结合,这使得器件在高频开关应用中表现出色。其18mΩ的超低RDS(on)显著降低了导通损耗,提高了整体系统效率,尤其在电池供电设备中延长了续航时间。同时,较低的栅极电荷(Qg)减少了驱动电路所需的能量,加快了开关速度,从而降低开关损耗。该器件的阈值电压典型值仅为0.8V左右,支持低压逻辑直接驱动,兼容现代微控制器和数字信号处理器输出电平,在简化外围电路设计方面具有明显优势。
  在可靠性方面,MCH3219-TL-E经过严格的工艺控制和测试流程,确保批次一致性高,长期工作稳定性强。其采用的先进封装技术不仅实现了小型化,还优化了散热路径,使结到环境的热阻得到有效控制。器件具备良好的ESD防护能力,人体模型(HBM)耐压可达2kV以上,增强了在生产装配和实际使用中的鲁棒性。此外,该MOSFET具有较低的体二极管正向压降和快速恢复特性,在某些需要续流功能的应用中也能发挥良好作用。
  由于其高功率密度和紧凑封装,MCH3219-TL-E非常适合用于空间受限但对性能要求较高的应用场景。例如,在同步整流DC-DC变换器中,它可以作为上管或下管使用,提供高效的能量转换;在负载开关电路中,能够实现快速开启/关断并有效抑制浪涌电流;在电池保护电路中,可用于过流和短路保护的通断控制。总体而言,该器件在性能、尺寸和成本之间取得了良好平衡,是众多中小功率电源系统的理想选择之一。

应用

便携式电子设备电源管理、DC-DC同步整流转换器、锂电池保护电路、电机驱动模块、LED驱动电路、负载开关与电源通断控制、USB电源开关、物联网节点电源控制

替代型号

AO3400,AO3401,DMG3415,FS8205

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