WFF7N65是一种高压、高频率的N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动等需要高频切换和高电压承受能力的场景。该器件采用了先进的功率MOSFET制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度以及优异的热性能。
最大漏源电压:700V
连续漏极电流:6.9A
导通电阻:2.4Ω
栅极电荷:18nC
总电容:1350pF
工作结温范围:-55℃至+150℃
WFF7N65具备出色的电气性能,其主要特性包括:
1. 高额定电压(700V),适合高压应用环境。
2. 低导通电阻(2.4Ω),能够有效降低传导损耗。
3. 快速开关特性,支持高频操作,有助于提升系统效率。
4. 具备良好的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
5. 内部设计优化,减小寄生电感和电容的影响,从而提高抗干扰能力。
6. 封装形式紧凑,便于电路板布局和散热管理。
WFF7N65适用于以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS)中的高频开关元件。
2. 工业逆变器和变频器的核心功率器件。
3. 电机驱动电路中的功率控制模块。
4. 能量转换设备如光伏逆变器、不间断电源(UPS)等。
5. 各类高压负载开关和保护电路。
6. 电动汽车和混合动力汽车中的电力管理系统。
FF7N65, STP7NK65Z, IRFP460