MB4754 时间：2025/8/8 20:35:27 阅读：14

MB4754是一款由Mitsubishi Electric（三菱电机）推出的功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的硅技术制造，具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力等优点，适用于电源转换、电机控制、工业自动化等高要求的电子系统。MB4754以其出色的性能和可靠性广泛应用于各种工业设备中。

参数

类型：功率MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　连续漏极电流（ID）：14A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.36Ω（最大）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：4V（典型）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220
　　功率耗散（PD）：150W

特性

MB4754具有多项优异的电气和物理特性，使其在功率MOSFET市场中占据重要地位。首先，其漏源电压高达500V，能够承受较高的电压应力，适用于高压开关电路。其次，该器件的连续漏极电流为14A，具有较强的电流承载能力，适用于高功率输出的应用场景。此外，MB4754的导通电阻仅为0.36Ω（最大），有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。
　　该MOSFET的栅极阈值电压为4V（典型），与常见的驱动电路兼容性良好，便于设计和集成。MB4754采用TO-220封装形式，具有良好的散热性能，确保在高功率工作条件下仍能保持稳定运行。其工作温度范围从-55°C到150°C，适用于恶劣的工业环境。
　　在可靠性方面，MB4754通过了多项工业标准测试，确保其在长期运行中的稳定性和耐用性。其低导通电阻和高电流能力使其在DC-DC转换器、开关电源、电机控制和工业自动化设备中表现出色。

应用

MB4754主要应用于需要高压、高电流和高效能的电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、工业自动化设备和电源管理系统。其高耐压能力和优异的导通性能使其成为高压电源转换和控制电路中的理想选择。此外，由于其良好的散热性能和稳定的电气特性，MB4754也广泛用于高频开关电路和大功率LED驱动器。