EUP3484DIR1 时间：2025/6/18 19:11:42 阅读：3

EUP3484DIR1 是一款高性能的 N 治金场效应晶体管（NMOS），主要应用于开关和功率管理领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性等特性。它适用于需要高效能和高可靠性的各种电子电路设计。
　　该型号 NMOS 晶体管适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理系统等应用场合。其封装形式为 D2PAK，能够提供良好的散热性能。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：38A
　　导通电阻：4.5mΩ
　　栅极电荷：95nC
　　开关时间：ton=16ns, toff=18ns
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

EUP3484DIR1 具有较低的导通电阻 (Rds(on))，可显著减少功率损耗并提高系统效率。同时，这款 NMOS 晶体管拥有较高的持续电流能力，能够满足大功率应用的需求。
　　此外，它的快速开关特性有助于降低开关损耗，提升动态性能。器件的高雪崩能量能力和坚固的设计确保了在恶劣条件下的稳定运行。
　　由于采用了 D2PAK 封装，该晶体管具备优秀的热传导性能，可以有效散发工作过程中产生的热量，从而延长使用寿命并增强可靠性。
　　总之，EUP3484DIR1 凭借卓越的电气特性和机械强度，成为众多工业及汽车级应用的理想选择。

应用

EUP3484DIR1 广泛应用于多种功率转换与控制场景中，例如：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器
　　2. 降压或升压型 DC-DC 转换器的核心开关元件
　　3. 各类负载开关以实现精确的电流控制
　　4. 电动车及混合动力车中的电机驱动电路
　　5. 太阳能逆变器以及其他新能源相关设备
　　6. 工业自动化设备中的功率调节模块
　　7. 高端音频放大器内的保护与切换机制
　　这些应用领域均得益于 EUP3484DIR1 的高效率、强健度和灵活性。