时间：2025/6/11 23:55:22
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GA1210H223KBXAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率和高可靠性应用设计。该芯片采用了先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能。其主要应用于电源管理、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的场景。
该器件具有增强的电气特性和鲁棒性，能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。同时，它支持表面贴装封装技术，便于自动化生产和小型化设计。
型号：GA1210H223KBXAR31G
类型：N-Channel MOSFET
封装：TO-263 (D2PAK)
Vds（漏源电压）：120V
Rds(on)（导通电阻）：1.8mΩ
Id（连续漏极电流）：95A
栅极电荷：45nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
功耗：250W
GA1210H223KBXAR31G 的核心特性包括低导通电阻和高速开关性能，使其非常适合高频功率转换应用。此外，其采用的先进沟槽式 MOSFET 结构优化了散热路径，从而提升了整体效率。
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够显著降低传导损耗。
2. 快速开关速度减少了开关损耗，提高了系统效率。
3. 内置 ESD 保护功能，增强了芯片的抗静电能力。
4. 支持宽范围的工作温度，适应恶劣环境下的使用需求。
5. 高电流承载能力，适用于大功率应用场景。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合全球市场。
这款功率 MOSFET 广泛应用于多个领域，涵盖工业、汽车及消费电子等多个行业。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率级元件。
2. 电动车辆 (EV/HEV) 的牵引逆变器与电池管理系统 (BMS)。
3. 工业电机驱动器和伺服控制器中的功率输出级。
4. 太阳能微型逆变器和其他可再生能源设备。
5. LED 照明驱动电路中的功率开关。
6. 各种高功率密度的电子负载和测试设备。
7. UPS 不间断电源系统的功率转换模块。
GA1210H223KBXAR31L, IRFZ44N, FDP5500
