类型：SiC肖特基二极管
　　封装：SMC (DO-214AB)
　　重复峰值反向电压（VRRM）：1200V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：1.0A
　　正向压降（VF）：1.55V（典型值，@ IF=1.0A, TJ=25°C）
　　最大浪涌正向电流（IFSM）：30A（单半波60Hz）
　　反向漏电流（IR）：10μA（典型值，@ VR=1200V, TJ=25°C）；可达100μA @ TJ=150°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　热阻结到壳（RθJC）：约80°C/W（典型值）
　　安装扭矩：不超过0.5N·m
　　极性标识：阴极有白色环标记

P1101SCMC的核心优势在于其采用碳化硅（SiC）半导体材料，这使其在高频、高温和高电压应用中表现出远超传统硅基PIN二极管的性能。首先，该器件具备零反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）的特性，这意味着在开关过程中不会产生反向恢复电流尖峰，从而大幅减少开关损耗和电磁干扰（EMI），提升系统效率并简化滤波电路设计。这一特性在高频DC-DC变换器、LLC谐振转换器和PFC（功率因数校正）电路中尤为重要。
　　其次，P1101SCMC具有较低的正向导通压降（VF），在额定电流1A条件下，室温下典型值仅为1.55V，相比同类SiC产品具有更优的导通损耗表现。同时，由于SiC材料的宽禁带特性，其反向漏电流虽然随温度升高有所增加，但在150°C高温下仍可控制在100μA以内，满足大多数工业级应用需求。此外，该器件支持高达175°C的工作结温，允许在高温环境中持续运行，减少了对复杂散热系统的需求，提升了系统的可靠性和紧凑性。
　　在可靠性方面，P1101SCMC通过了严格的AEC-Q101认证测试流程（适用于汽车级器件参考标准），具备良好的抗热循环能力和机械稳定性。其SMC封装采用铜夹片键合工艺，增强了电流承载能力和热传导效率，同时具备优良的抗湿性能（MSL等级1），适用于回流焊工艺。该器件还具备出色的dv/dt耐受能力，不易发生误触发或击穿，适合在高噪声电力环境中使用。总体而言，P1101SCMC是一款兼顾高效、可靠与小型化的SiC肖特基二极管，特别适用于追求高功率密度和高能效的现代电源系统。

P1101SCMC广泛应用于各类高效率电力电子设备中，尤其适用于需要高频开关和高温工作的场景。典型应用包括车载充电机（OBC）中的升压二极管、电动汽车充电桩的输出整流模块、光伏（PV）逆变器中的续流与防反二极管、以及风力发电系统的功率转换电路。在工业电源领域，该器件常用于服务器电源、通信电源和UPS不间断电源中的PFC升压级，利用其零反向恢复特性来提升转换效率并降低散热负担。
　　此外，P1101SCMC也适用于高频率DC-DC转换器，如LLC谐振变换器的次级侧同步整流辅助二极管或初级侧钳位电路，帮助抑制电压尖峰并提高系统响应速度。在消费类高端电源适配器中，尤其是氮化镓（GaN）主开关搭配的整流电路中，P1101SCMC可作为理想的配套元件，充分发挥宽禁带半导体组合的技术优势。同时，由于其小型化SMC封装，非常适合空间受限的应用，如LED驱动电源、智能电表和工业传感器供电模块等。凭借其出色的温度稳定性和长期可靠性，该器件也被广泛用于户外和工业环境下的电源系统，确保在极端气候条件下仍能稳定运行。

S1Q015E12TR P1201SCMC SK32J