2SK1621 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型功率MOSFET,常用于电源管理、开关电路和功率放大器等应用中。这款MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适合用于高效率电源转换设备。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):900V
栅源电压(Vgs):±30V
连续漏极电流(Id):4.5A
功耗(Pd):40W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:TO-220
2SK1621 MOSFET的主要特性之一是其高耐压能力,漏源电压可达900V,使其适用于高电压应用环境。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET结构,确保了低导通电阻(Rds(on)),从而降低了导通损耗并提高了效率。此外,2SK1621具备较强的热稳定性,在高温条件下仍能保持稳定工作,提高了设备的可靠性。
该MOSFET还具有快速开关特性,能够有效减少开关损耗,提高整体系统的能效。其TO-220封装形式便于安装在散热器上,从而进一步优化散热性能。此外,栅极驱动电压范围较宽,可在±30V范围内工作,提高了其在不同电路设计中的适用性。
由于其高可靠性和优异的电气性能,2SK1621被广泛用于各种电源转换系统,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器以及电机控制电路等。此外,它也适用于照明驱动器和工业自动化设备中的高电压开关应用。
2SK1621 MOSFET主要应用于高电压开关电路中,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、LED驱动器和逆变器等。其高耐压和低导通电阻特性使其在电源管理系统中表现出色,有助于提高系统效率并降低能耗。此外,该器件也可用于电机驱动电路、工业自动化设备和照明控制系统等应用领域。
在消费类电子产品中,2SK1621可用于高电压负载开关、电源适配器和充电器等。在工业领域,它常用于变频器、不间断电源(UPS)和伺服驱动器等设备。由于其良好的热稳定性和可靠性,也适用于需要长时间稳定运行的工业控制系统。
2SK2142, 2SK1615, 2SK1530, IRF840, 2SK1332