电容：2.2nF
　　容差：±20%
　　额定电压：100V
　　封装尺寸：1812（4532公制）
　　介质材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：10,000MΩ 最小
　　额定电流：无直接额定电流参数
　　损耗角正切（D.F.）：通常在1.5%以下
　　温度系数：±15% 以内（X7R 材料特性）

ESMQ101ELL222MP50S 具有出色的电性能稳定性，特别是在温度变化较大的环境下仍能保持良好的电容特性。X7R 介质材料使其在-55°C 至 +125°C 的宽温度范围内具有优异的稳定性，适用于严苛的环境条件。
　　其1812（4532公制）封装形式在尺寸与性能之间取得了良好的平衡，既能满足高密度PCB布局需求，又具备足够的焊接可靠性和机械强度。
　　该电容器还具备较低的损耗角正切（D.F.），意味着在高频工作条件下具有较低的发热和较高的效率，适合用于射频（RF）电路和电源滤波器等应用。
　　此外，该器件具有优异的绝缘电阻特性，最小绝缘电阻为10,000MΩ，确保了在高阻抗电路中的稳定运行，减少漏电流带来的性能影响。
　　由于其高可靠性和广泛的工作温度范围，该电容器常用于工业自动化、通信设备、汽车电子和消费类电子产品中。

ESMQ101ELL222MP50S 多层陶瓷电容器广泛应用于各类电子设备和系统中，尤其适用于需要高稳定性和高温耐受性的场景。
　　在工业自动化设备中，该电容器可用于电源滤波、信号处理和抗干扰电路，确保设备在复杂电磁环境中稳定运行。
　　在通信设备中，如基站、路由器和交换机，该电容器可作为去耦电容或耦合电容，用于提高信号完整性和电源稳定性。
　　在汽车电子系统中，例如车载控制单元（ECU）、传感器模块和车载娱乐系统，该电容器能够承受较宽的温度变化范围，确保长期可靠运行。
　　同时，它也适用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和家用电器，用于提高电路的抗干扰能力和电源效率。
　　此外，该电容器还可用于医疗设备、航空航天电子系统以及高精度测量仪器等对电性能要求较高的领域。

TDK C4532X7R2E222KT001N, Murata GRM4532X7R2E222KQ01D, Kemet C4532X7R2E222KQ