IXTP86N20T 时间：2025/7/22 15:09:23 阅读：9

IXTP86N20T 是由 IXYS 公司生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用 TO-247 封装，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于电源转换器、电机驱动、电池充电器、太阳能逆变器等高功率电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压 Vds：200V
　　连续漏极电流 Id：86A
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　导通电阻 Rds(on)：典型值为 20mΩ（最大值25mΩ）
　　功耗（Pd）：350W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247
　　技术：增强型MOSFET

特性

IXTP86N20T 的核心特性之一是其出色的导通性能，其导通电阻 Rds(on) 典型值仅为 20mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件的漏源电压高达 200V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压应用场合。其连续漏极电流为 86A，具备良好的电流承载能力。
　　该 MOSFET 采用先进的平面技术制造，具有优异的热稳定性和可靠性。TO-247 封装设计有助于快速散热，提升器件在高功率环境下的稳定性。此外，该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，具备较强的抗干扰能力，适用于多种栅极驱动电路。
　　IXTP86N20T 还具备快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提升开关频率下的性能表现。这种特性使其在高频电源转换器、DC-DC 转换器和逆变器中表现出色。同时，该器件具有良好的雪崩击穿能力和抗短路能力，提高了在恶劣工作环境下的安全性和耐用性。

应用

IXTP86N20T 广泛应用于各种高功率电子系统中，如工业电源、不间断电源（UPS）、电机驱动器、电池充电器、焊接设备、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等。其高耐压、低导通电阻和良好的热性能使其成为许多开关电源设计中的理想选择。
　　在电源转换器中，IXTP86N20T 可用于构建高效的 DC-AC 或 DC-DC 转换电路，提供稳定且高效的电能转换。在电机驱动领域，该器件可用于 H 桥电路中，控制电机的正反转和调速。在太阳能逆变器中，IXTP86N20T 常用于高频逆变环节，将直流电转换为交流电供家庭或电网使用。
　　此外，该器件也适用于各种开关电源适配器、LED 照明驱动电源、工业自动化设备和高功率 LED 显示屏等应用，提供高可靠性和高效能的开关控制。