DTC113ZKA-HAF 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT),广泛应用于高频、高效能的功率转换场景。该器件采用先进的封装技术,能够提供卓越的开关性能和低导通电阻,从而提高系统效率并减少热损耗。
其设计适用于工业级应用,支持更高的工作温度范围,并具有出色的可靠性和耐用性。由于其高效的特性,这款 GaN 晶体管非常适合需要高功率密度和快速开关速度的电路。
型号:DTC113ZKA-HAF
类型:GaN HEMT
最大漏源电压(Vds):600 V
连续漏极电流(Id):13 A
导通电阻(Rds(on)):50 mΩ
栅极电荷(Qg):75 nC
开关频率:高达 2 MHz
结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247-4L
DTC113ZKA-HAF 的主要特性包括:
1. 高效的开关性能:得益于氮化镓材料的优异特性,该晶体管能够实现更快的开关速度和更低的开关损耗。
2. 低导通电阻:在高电流条件下,低 Rds(on) 值可显著降低传导损耗。
3. 高击穿电压:600V 的额定电压使其适用于多种高压应用场景。
4. 工业级可靠性:支持宽温度范围操作,并具备良好的抗电磁干扰能力。
5. 小型化设计:虽然为高功率器件,但其紧凑的封装形式有助于减少整体解决方案的尺寸。
6. 快速恢复特性:较低的栅极电荷使得动态损耗更低,进一步提升效率。
DTC113ZKA-HAF 在以下领域有广泛应用:
1. 开关电源 (SMPS):用于 DC-DC 转换器和 AC-DC 适配器中以提高效率。
2. 电机驱动:在高性能电机控制应用中提供更精确的控制和更高的效率。
3. 太阳能逆变器:实现高效的能量转换和管理。
4. 电动汽车 (EV) 充电器:支持快速充电功能,同时保持系统的高效率。
5. 工业自动化设备:如 PLC 和伺服驱动器等对功率和效率要求较高的场合。
6. 通信基础设施:如基站电源等需要高频率和高效率的应用。
DTC114ZKA-HAF
DTC112ZKA-HAF