电容值：820 pF
　　容差：±20%
　　额定电压：50 V
　　介质材料：X7R
　　封装尺寸：1210（3.2 mm x 2.5 mm）
　　温度范围：-55°C ~ +125°C
　　绝缘电阻：>10,000 MΩ
　　等效串联电阻（ESR）：最大 45 mΩ

ESMM351VSN821MA45S 多层陶瓷电容器具有多项显著的技术和性能特点。首先，该电容器采用X7R介质材料，具有良好的温度稳定性，能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持电容值的稳定性，适合各种严苛环境下的使用。X7R材料的温度系数较低，确保在不同工作温度下电性能的可靠性。
　　其次，该器件采用了表面贴装技术（SMT），封装尺寸为1210（3.2 mm x 2.5 mm），符合行业标准，便于自动化贴片和回流焊工艺，提高了生产效率和装配精度。该封装形式也减少了电路板的空间占用，有利于电子设备的小型化设计。
　　此外，ESMM351VSN821MA45S 的等效串联电阻（ESR）极低，最大仅为45毫欧，这使得它在高频电路中具有优异的去耦和滤波性能，能够有效降低电路中的噪声和电压波动，提高电源系统的稳定性和效率。同时，其高绝缘电阻（>10,000 MΩ）也确保了器件在高阻抗电路中的可靠性，减少了漏电流的影响。
　　这款电容器还具有良好的机械强度和耐热性能，能够在焊接和使用过程中承受一定的机械应力和热应力，确保长期使用的稳定性和耐久性。其多层结构设计不仅提高了电容密度，还增强了器件的抗干扰能力，适用于高频率和高精度的应用场景。
　　由于其优异的电气特性和稳定的性能，ESMM351VSN821MA45S 被广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子等领域，尤其是在需要高电容值和低ESR的电源管理、信号处理和滤波电路中表现突出。

ESMM351VSN821MA45S 多层陶瓷电容器广泛适用于多个高要求的电子系统领域。在工业自动化和控制系统中，该电容器常用于电源去耦、滤波以及信号调理电路，以提高系统的稳定性和抗干扰能力。在汽车电子应用中，如车载信息娱乐系统、动力总成控制模块和传感器接口电路，其宽工作温度范围和高可靠性使其成为理想选择。
　　在通信设备中，该电容器被用于射频（RF）模块的滤波和耦合电路，以及基站和路由器的电源管理单元，以优化高频信号的传输质量并降低噪声干扰。此外，在消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，ESMM351VSN821MA45S 用于电源管理IC（PMIC）的旁路电容，提升电池供电系统的效率和稳定性。
　　在电力电子和电源转换系统中，该电容器可用于DC-DC转换器、AC-DC整流器和UPS（不间断电源）等电路中的输入/输出滤波环节，有效降低纹波电压，提高能量转换效率。同时，其低ESR特性也有助于减少高频开关噪声，提升整体电源质量。

GRM319R71H822MA01L, CL21B822KBQNNNE