时间：2025/7/4 3:54:11
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RF15N1R2B101CT是一款射频氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频和高功率应用设计。该器件采用先进的GaN技术，提供卓越的功率密度、效率和带宽性能，适合于通信、雷达和其他射频系统中的功率放大器应用。
其封装形式和电气特性使其能够满足现代无线通信系统对高性能和小型化的需求。
型号：RF15N1R2B101CT
类型：射频氮化镓HEMT
工作频率范围：DC - 18 GHz
最大输出功率：40 W
增益：15 dB
漏极电压（Vd）：100 V
栅极电压（Vg）：-4 V to 0 V
输入匹配网络：Yes
输出匹配网络：Yes
封装形式：陶瓷封装
RF15N1R2B101CT具有以下显著特点：
1. 高功率密度：基于GaN技术，能够在小尺寸内实现高功率输出。
2. 高效率：在高频条件下仍能保持较高的功率转换效率。
3. 宽带操作：覆盖从DC到18GHz的工作频率范围，适用于多种应用场景。
4. 高增益：在典型工作条件下提供15dB的增益，减少对外部增益级的需求。
5. 良好的热管理：优化的封装设计有助于散热，从而提高可靠性和寿命。
6. 内置匹配网络：简化了外部电路设计，降低了复杂度。
RF15N1R2B101CT广泛应用于以下领域：
1. 无线通信基站：用于功率放大器以提升信号强度和覆盖范围。
2. 雷达系统：支持军事和民用雷达中的高功率发射。
3. 点对点微波通信：在长距离无线数据传输中提供稳定可靠的性能。
4. 测试与测量设备：用于高性能信号发生器和其他测试仪器。
5. 卫星通信：助力卫星地面站和用户终端实现高效数据传输。
RF15N1R2B102CT, RF15N1R2B103CT
