SQM300JB-0R22 是一款由 Sanken(三垦)公司生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高功率、高频开关应用。这款MOSFET采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性。其设计特别适用于电源转换、DC-DC转换器、电机控制和各类功率电子设备中。该器件封装形式为TO-220,便于安装和散热处理。
型号:SQM300JB-0R22
类型:N沟道MOSFET
漏极-源极电压(VDS):300V
栅极-源极电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):80A(Tc=25°C)
导通电阻(RDS(on)):0.22Ω(最大)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-220
功率耗散(PD):150W
漏极-源极击穿电压:300V
栅极电荷(Qg):150nC(典型值)
SQM300JB-0R22 采用先进的平面MOSFET技术,具有出色的导通性能和低开关损耗。其0.22Ω的导通电阻确保了在高电流应用下较低的功率损耗,同时提高了系统的整体效率。该MOSFET的高耐压能力(300V VDS)使其适用于多种高压应用,例如功率因数校正(PFC)、DC-DC变换器和逆变器系统。
此外,该器件具备优异的热稳定性和过载能力,能够在高环境温度下保持稳定运行。其TO-220封装提供了良好的热管理和机械稳定性,适合在紧凑型电源设计中使用。
该MOSFET还具有较低的栅极电荷(Qg),有助于实现更快的开关速度,从而减少开关损耗,提高系统效率。同时,其±20V的栅极电压容限提高了在高噪声环境中工作的可靠性,减少了栅极驱动电路的设计复杂度。
在可靠性方面,SQM300JB-0R22通过了严格的工业标准测试,适用于各种工业和消费类电子应用。
SQM300JB-0R22 广泛应用于各类电力电子设备,如开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路、DC-DC转换器、逆变器、UPS(不间断电源)、电机驱动器以及各类工业自动化控制系统。此外,该MOSFET也可用于LED驱动电源、充电器、电池管理系统(BMS)以及高频电源转换系统中。由于其高可靠性和优异的导通性能,它特别适合需要高效率和高稳定性的电源设计。
IXFH80N30Q、IRFPG50、FDPF300N15A、STW80N30