时间：2025/5/23 1:39:38
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IPP076N15N5 是一款来自 Infineon（英飞凌）的 N 沟道功率 MOSFET，主要应用于高效率开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用 TRENCHSTOP? 技术制造，具有极低的导通电阻和快速开关性能。
该芯片封装形式为 TO-220-FP，适合需要较高电流承载能力和良好散热性能的应用场景。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：76A
导通电阻：1.8mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
栅极电荷：48nC（典型值）
输入电容：2300pF（典型值）
反向恢复时间：90ns（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
IPP076N15N5 提供了卓越的性能表现，其超低的导通电阻显著减少了传导损耗，从而提高了整体系统效率。
此外，该器件还具备出色的热稳定性与耐用性，确保在恶劣环境下的可靠运行。
它的快速开关能力降低了开关损耗，非常适合高频应用。
TRENCHSTOP? 技术的应用进一步优化了芯片的电气特性和机械强度。
同时，该型号采用了行业标准的 TO-220-FP 封装，便于安装和维护。
IPP076N15N5 广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于以下方面：
- 开关模式电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 逆变器和 UPS 系统
- 工业电机控制
- 大功率负载开关
- 电动汽车充电桩
由于其高电流处理能力和低导通电阻，这款 MOSFET 特别适用于需要高效能量转换和高温稳定性的场景。
IPP070N15N5
IPP080N15N5
IRFP260N
STW13DM15L
