ESHS-B085DB-T 时间：2025/9/6 23:20:36 阅读：6

ESHS-B085DB-T是一款高性能、低功耗的射频（RF）晶体管，主要用于高频放大和射频功率放大应用。该器件采用先进的硅双极工艺制造，具备良好的高频响应和稳定性，适用于无线通信系统、射频测试设备、雷达系统和射频功率模块等领域。该晶体管封装采用小型化表面贴装封装（SMD），便于在高密度PCB设计中使用。

参数

类型：NPN射频晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：500 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：25 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-89或类似小型SMD封装
　　频率范围：最高可达2 GHz
　　增益（hFE）：在100 MHz时典型值为100
　　噪声系数：典型值为1.5 dB
　　输出功率：在1 GHz时典型输出功率为28 dBm

特性

ESHS-B085DB-T射频晶体管具有优异的高频性能和低噪声特性，适用于高频小信号放大和中功率放大应用。该器件在1 GHz以上频段仍能保持良好的增益和线性度，使其成为无线基础设施和射频测试设备中的理想选择。其低噪声系数使其适用于低噪声放大器（LNA）设计，而高输出功率能力则适合中功率放大器应用。此外，该晶体管具有良好的热稳定性和可靠性，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。
　　该器件的封装设计便于表面贴装，减少了PCB布局的复杂性，并提高了制造效率。其紧凑的尺寸也使其适用于空间受限的设计。ESHS-B085DB-T还具有良好的线性放大性能，能够满足现代通信系统对信号保真的高要求。

应用

ESHS-B085DB-T广泛应用于无线通信系统中的射频前端模块，如蜂窝基站、Wi-Fi接入点和射频收发器。它也可用于射频测试设备中的信号放大和测量电路。此外，该晶体管还适用于雷达系统、RFID读写器、卫星通信设备和射频功率放大模块。由于其良好的高频性能和低噪声特性，它也被广泛用于低噪声放大器（LNA）和驱动放大器的设计。