时间：2025/5/13 17:04:19
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SUM90N06-4M4P-E3是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，主要应用于高频开关、电源管理以及功率转换等领域。该型号采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合在高效能要求的电路中使用。此器件能够承受较高的漏源电压，并且具备良好的热稳定性，确保在各种复杂环境下的可靠运行。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：9A
导通电阻（典型值）：4.4mΩ
栅极电荷：18nC
反向恢复时间：50ns
工作温度范围：-55℃至150℃
SUM90N06-4M4P-E3的主要特点是其低导通电阻，这有助于降低功耗并提高系统效率。同时，它具有非常低的栅极电荷，支持快速开关操作，减少开关损耗。该器件还具备出色的热性能，使其能够在高电流和高频率的应用中保持稳定。能力，进一步增强了长期工作的可靠性。
该芯片适用于需要高效能量转换和低热量产生的场景，例如DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用。
DC-DC转换器
电机驱动
电池保护电路
负载开关
逆变器
LED驱动
通信电源
SUM90N06-4M4P-E2
SUM90N06-4M4P-E4
IRFZ44N
FDP170N06L
