时间：2025/5/24 19:11:13
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FN18X332K500PSG 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，主要用于高频开关和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺，能够提供较低的导通电阻以及快速的开关速度，从而减少能量损耗并提高效率。
此型号属于 FANSEM 的 F 系列 MOSFET 产品线，广泛应用于消费电子、工业设备及通信领域中的电源管理模块。其封装形式为 PSG（Power Small Gate），这种封装设计具有良好的散热性能和紧凑的空间占用特点。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：33A
导通电阻：5.0mΩ
栅极电荷：75nC
开关频率：高达 1MHz
结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：PSG
FN18X332K500PSG 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，可有效降低功率损耗。
2. 高频开关能力，适合需要快速响应的应用场景。
3. 强大的耐压能力，最高可达 500V，确保在高电压环境下的稳定运行。
4. 小巧的 PSG 封装，节省 PCB 布局空间。
5. 良好的热性能，有助于提升整体系统的可靠性。
6. 广泛的工作温度范围，适应多种恶劣环境条件。
FN18X332K500PSG 主要应用于以下几个领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动电路。
3. 太阳能逆变器。
4. LED 照明驱动器。
5. 工业控制和自动化系统中的功率管理模块。
6. 电信设备中的高效电源解决方案。
由于其卓越的性能表现，这款 MOSFET 在需要高效率、高可靠性的电力电子设计中备受青睐。
FCH18N50S,
IRFP460,
STP33NF50,
IXTH39N50P
