ESDB2V5A1 时间：2025/8/16 11:52:39 阅读：9

ESDB2V5A1 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的静电放电（ESD）保护二极管阵列，主要用于保护电子设备中的敏感电路免受静电放电和瞬态电压的损害。该器件具有低电容特性，适用于高速数据线路的保护，例如USB、HDMI和以太网接口等。ESDB2V5A1采用小型化的封装形式，能够在有限的空间内提供高效能的电路保护。

参数

类型：ESD保护二极管阵列
　　工作电压：2.5V
　　反向关态电压（VRWM）：2.5V
　　钳位电压（VC）：典型值为8.5V @ IPP=1.5A
　　峰值脉冲电流（IPP）：1.5A
　　电容（C）：典型值为0.4pF
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-323（SC-70）

特性

ESDB2V5A1 的主要特性之一是其超低的结电容，典型值为0.4pF，这使其非常适合用于高频和高速数据传输线路的保护，不会对信号完整性造成明显影响。
　　此外，该器件具有低反向漏电流，在正常工作条件下能够提供稳定的电气性能，同时确保最小的功耗。
　　其快速响应时间能够在静电放电事件发生时迅速将过电压钳位至安全水平，从而保护后端电路不受损坏。
　　该器件采用SOT-323封装，体积小巧，便于在空间受限的设计中使用，并具有良好的热稳定性和可靠性。
　　ESDB2V5A1 还符合IEC 61000-4-2标准的ESD抗扰度要求，可承受高达±15kV的空气放电和±8kV的接触放电，适用于各种工业和消费类电子应用。

应用

ESDB2V5A1 主要应用于需要对高速数据线路进行静电放电保护的场合，如USB 2.0和USB 3.0接口、HDMI、DisplayPort、以太网端口以及其它通信接口。
　　在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式电子产品中，该器件能够有效保护敏感的集成电路免受静电放电的影响。
　　它也常用于工业控制设备、测试仪器和网络设备中，确保设备在严苛环境中仍能稳定运行。
　　由于其低电容特性，ESDB2V5A1 也适用于射频（RF）信号路径中的保护，例如在天线开关或多路复用器电路中使用。
　　此外，该器件还可用于保护音频和视频接口，防止静电放电造成音频噪声、视频失真或系统复位等问题。