时间：2025/8/6 10:21:11
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IXFX90N20Q 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高电流应用。这款晶体管具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率特性，常用于电源转换器、逆变器、电动工具和电机控制等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (Id)：90A
最大漏-源电压 (Vds)：200V
最大栅-源电压 (Vgs)：±30V
导通电阻 (Rds(on))：典型值 0.022Ω
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
功率耗散 (Ptot)：300W
IXFX90N20Q 的主要特性包括低导通电阻，这使其在高电流条件下能够降低功耗并减少发热。该器件采用了先进的平面技术，具有高耐用性和热稳定性。此外，它具备高雪崩能量耐受能力，可承受瞬态过电压，确保在极端条件下的可靠性。
该 MOSFET 还具有快速开关能力，减少了开关损耗，适用于高频应用。其封装形式为 TO-247，便于安装在散热器上，提高散热效率。此外，IXFX90N20Q 的栅极驱动要求较低，适合与多种驱动电路兼容，提高了系统设计的灵活性。
在保护方面，该器件具有过温保护和过电流保护特性，能够在异常情况下防止器件损坏。其高抗扰度设计也使其适用于工业环境中的电磁干扰（EMI）较强的场合。
IXFX90N20Q 常用于高功率电源系统，如 DC-DC 转换器、UPS 不间断电源、电机驱动器和电池充电器。它也适用于太阳能逆变器、电动汽车充电设备以及工业自动化控制系统中的功率开关应用。
IXFX90N20T, IXFH90N20Q, IXFN90N20D
