HVC362TRFE 时间：2025/9/7 16:28:05 阅读：4

HVC362TRFE是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET驱动器IC，专为高性能功率转换应用设计。该芯片采用先进的BiCMOS工艺制造，具有高集成度、低功耗和出色的抗干扰能力。HVC362TRFE主要应用于半桥结构的功率电路中，如DC-DC转换器、电机驱动、电源管理系统和工业自动化设备等。其封装形式为TSSOP，便于表面贴装，适用于高密度电路设计。

参数

工作电压范围：4.5V ~ 18V
　　输出电流能力：高端驱动电流1.5A / 低端驱动电流2.0A
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装类型：TSSOP 16引脚
　　驱动方式：高压半桥驱动
　　最大工作频率：支持高达1MHz的工作频率
　　欠压锁定（UVLO）功能：具备
　　死区时间控制：可调节
　　输入信号兼容性：3.3V / 5V逻辑电平兼容
　　输出端耐压：高端侧浮动电压最高可达600V

特性

HVC362TRFE采用BiCMOS技术，具备高速驱动能力和低功耗特性，适合高频开关应用。其内置的欠压锁定功能可有效防止在电源电压不足时误动作，保护功率MOSFET免受损坏。该芯片支持高端浮动电压高达600V，适用于高电压功率转换系统。此外，HVC362TRFE具有可调节的死区时间控制功能，能够防止上下桥臂直通短路，提高系统稳定性。
　　该驱动IC还具备较强的抗干扰能力，能够在高噪声环境下稳定工作。其输入端兼容3.3V和5V逻辑电平，方便与各种控制器连接。TSSOP封装形式不仅节省空间，还提升了散热性能，适用于紧凑型电源设计。
　　HVC362TRFE的高低端驱动能力分别为1.5A和2.0A，能够在高负载条件下快速驱动MOSFET，减少开关损耗，提高系统效率。其宽广的工作电压范围（4.5V至18V）使其适用于多种电源架构。

应用

HVC362TRFE广泛应用于各种电力电子系统中，包括DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、UPS电源、工业自动化设备和智能功率模块（IPM）等。由于其支持高电压浮动端，特别适用于高压功率转换系统，如光伏逆变器、储能系统和电动汽车电源管理系统。该芯片的高集成度和高性能也使其成为工业控制、自动化设备和高性能电源模块的理想选择。