型号：K90KGY8S0E-4000
　　制造商：Samsung
　　类型：3D NAND Flash
　　容量：1Tb (128GB)
　　工艺技术：3D V-NAND
　　单元结构：TLC (Triple-Level Cell)
　　接口类型：ONFI 4.0 Compatible
　　数据传输速率：4000 MT/s
　　供电电压：Vcc = 3.3V, Vccq = 1.8V
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　封装类型：BGA
　　引脚数：根据具体封装尺寸确定，典型为153-ball或类似
　　耐久性：约1000次编程/擦除周期
　　数据保持时间：10年（典型）
　　特性阻抗：受控Impedance I/Os 支持
　　ECC支持：片外ECC要求，控制器需提供纠错机制
　　时序参数：tR (读取周期) ≤ 25μs, tPROG (编程时间) ≤ 1.3ms, tBERS (块擦除时间) ≤ 15ms

K90KGY8S0E-4000采用了三星独有的3D Vertical NAND（V-NAND）技术，这项技术突破了传统平面NAND在微缩工艺上的物理极限。通过将存储单元垂直堆叠成多层结构（例如96层或更高），显著提升了单位面积内的存储密度，同时降低了单元间干扰和漏电流问题，从而提高了整体可靠性和耐久性。与传统的2D NAND相比，3D V-NAND不仅实现了更高的容量扩展能力，还大幅改善了编程/擦除速度和功耗表现。该器件使用Charge Trap Flash（电荷俘获型闪存）结构替代传统的浮栅结构，进一步增强了数据稳定性和长期保存能力。
　　该芯片支持ONFI 4.0兼容接口，提供高达4000MT/s的数据传输速率，使其能够满足现代高性能存储系统的带宽需求。高速DDR（双倍数据率）接口允许在时钟的上升沿和下降沿同时传输数据，有效翻倍了数据吞吐量。此外，器件内置多种高级功能，如动态坏块管理、写入均衡（Wear Leveling）支持、页缓存编程、随机读取优化以及多平面操作模式，这些特性共同提升了整体I/O效率和响应速度。多平面操作允许多个平面并行执行读、写或擦除操作，极大提高了并发处理能力。
　　为了确保数据完整性，K90KGY8S0E-4000要求外部控制器实施强健的ECC算法（如LDPC码），以纠正因TLC结构带来的更高位错误率。其电源管理系统设计精细，具备多种低功耗状态（如睡眠、待机模式），可在空闲期间自动降低功耗，适用于电池供电设备。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持工业级应用环境，具备良好的抗干扰能力和长期供货稳定性，是高端嵌入式存储解决方案的理想选择之一。

K90KGY8S0E-4000因其高容量、高速度和高可靠性，被广泛应用于多个前沿科技领域。首先，在智能手机和平板电脑中，它作为主存储介质用于安装操作系统、应用程序和用户数据存储，其高速接口能显著提升系统启动速度和应用加载效率。其次，在固态硬盘（SSD）特别是M.2 NVMe SSD中，该芯片常被用作核心存储单元，配合高性能主控实现数千MB/s的连续读写速度，适用于笔记本电脑、工作站及企业级服务器存储升级。
　　在数据中心和云计算基础设施中，K90KGY8S0E-4000可用于构建高密度存储节点，支持大规模数据缓存、日志记录和虚拟化环境下的快速IO响应。其长寿命和高耐久性也使其适用于工业控制设备、车载信息娱乐系统（IVI）和智能监控摄像头等严苛环境下的嵌入式存储方案。此外，在AI边缘计算设备中，该芯片可承载模型参数和运行日志，保障实时推理任务的数据存取效率。医疗成像设备、航空电子系统和网络通信设备也越来越多地采用此类高性能NAND Flash来满足对可靠性和性能的双重需求。

K9GAGY8U0A-KS00
　　K9LBGY8S0D-4000
　　MTFC1TAYAEDAW (eMMC封装版本参考)
　　HYBF4TETRN414