时间：2025/9/1 14:30:23
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GM71VS18163CLT-5是一款由Giantec Semiconductor（巨积半导体）生产的高性能、低功耗、16Mbit（1Mb x16）异步静态随机存取存储器（SRAM）。该器件采用先进的CMOS工艺制造，具有高速访问时间和低功耗特性，适用于对性能和功耗都有较高要求的嵌入式系统和通信设备。该SRAM具有异步控制信号，支持标准的SRAM接口，适用于多种工业控制、网络设备和消费类电子产品。
容量：16Mbit
组织方式：1Mb x16
电源电压：2.3V - 3.6V
访问时间：5ns
工作温度：-40°C ~ +85°C
封装类型：TSOP
数据保持电压：1.5V
最大工作电流：180mA（典型值）
待机电流：10mA（典型值）
GM71VS18163CLT-5是一款高性能CMOS异步SRAM，采用先进的制造工艺，具备高速和低功耗的特点。其访问时间仅为5ns，能够满足高速数据存取的应用需求，适用于对响应速度有严格要求的系统。该芯片支持宽电压范围（2.3V至3.6V），提高了在不同电源条件下的兼容性和稳定性。此外，其低待机电流设计（典型值10mA）使其在电池供电设备中也能实现节能运行。
这款SRAM芯片具有良好的数据保持能力，在电源电压降至1.5V时仍能保持数据不丢失，非常适合用于需要长时间数据保存的低功耗系统中。其TSOP封装形式有助于减小PCB空间，提高系统集成度。GM71VS18163CLT-5还具备良好的抗干扰能力和可靠性，符合工业级温度范围（-40°C至+85°C）的要求，适用于各种恶劣环境下的稳定运行。
GM71VS18163CLT-5广泛应用于通信设备、工业控制系统、网络路由器、交换机、测试仪器、视频处理系统以及高性能嵌入式设备中。由于其高速访问能力和低功耗特性，它特别适用于需要快速缓存或临时数据存储的场景，例如图像缓冲、数据采集、高速缓冲存储等。该芯片也常见于需要长期稳定运行和宽温工作条件的工业自动化和车载电子系统中。
CY7C1041CV33-10ZSXI, IS61LV25616-10B4B
