ESD9N12BA-2/TR 是一款基于硅技术的低电容TVS(瞬态电压抑制器)二极管,专为高速数据线和射频应用提供静电放电(ESD)保护而设计。该器件采用SOT-323封装形式,具有极低的电容特性,适合用于高速信号线路中,例如USB、HDMI、以太网等接口,同时能有效抑制由于ESD事件引起的过电压威胁。
这款产品符合IEC61000-4-2国际标准,能够承受高达±12kV(空气放电)和±8kV(接触放电)的ESD冲击,从而保护敏感电子设备免受损害。
工作电压:12V
反向击穿电压:13.8V
最大箝位电压:23.5V
峰值脉冲电流:1.1A
结电容:0.6pF
响应时间:≤1ps
漏电流:≤1μA(在工作电压下)
存储温度范围:-65℃至+150℃
工作温度范围:-55℃至+125℃
1. 极低结电容,仅为0.6pF,非常适合高速数据传输线路。
2. 快速响应时间(≤1ps),可迅速抑制瞬态电压尖峰。
3. 高ESD耐受能力,符合IEC61000-4-2标准,支持±12kV空气放电和±8kV接触放电。
4. 小型化封装(SOT-323),节省PCB空间。
5. 可靠性高,适用于各种恶劣环境下的长期使用。
6. 符合RoHS环保标准,无铅设计。
ESD9N12BA-2/TR 广泛应用于需要ESD保护的各种高速接口电路中,具体包括:
1. USB 2.0/3.0接口保护。
2. HDMI接口保护。
3. 以太网(Ethernet)端口保护。
4. 移动设备中的射频天线保护。
5. 工业控制系统的通信总线保护。
6. 汽车电子系统中的高速数据线防护。
7. 其他需要低电容保护的高速信号线路。
ESD9L12ZA, ESD9M12BT, PESD2CAN