时间：2025/4/30 13:56:57
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RP115L281D-E2 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 TOLL 封装形式。该器件主要应用于高频、高效率的开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。得益于其低导通电阻和快速开关特性，RP115L281D-E2 在功率转换应用中表现出色，并能显著降低系统能耗。
这款 MOSFET 集成了先进的制程技术，使其在高温环境下仍能保持稳定的工作状态，同时具备出色的 ESD 防护能力。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：34A
导通电阻（典型值）：1.6mΩ
栅极电荷：70nC
输入电容：1940pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装形式：TOLL
RP115L281D-E2 的关键特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有效减少导通损耗。
2. 快速的开关速度，支持高频操作，从而优化系统效率。
3. 高雪崩能量能力，确保在异常条件下具有更好的鲁棒性。
4. 强大的热性能设计，适合高温环境下的长期运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 内置 ESD 保护机制，增强了抗干扰能力。
这些特性使 RP115L281D-E2 成为工业级及汽车级应用的理想选择。
RP115L281D-E2 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 适配器。
2. 各类 DC-DC 转换器模块。
3. 电机驱动与控制电路。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电管理。
5. 工业自动化设备中的负载切换。
6. 通信设备中的高效功率转换。
其卓越的性能和可靠性，特别适合对效率和散热要求较高的场合。
RP115L280D-E2
IRF2814
FDP158N15AE
