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2SK3924-01S 发布时间 时间:2025/8/9 3:21:43 查看 阅读:19

2SK3924-01S 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型功率MOSFET晶体管,适用于高效率的功率开关应用。该MOSFET具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性,适合用于电源转换、电机控制、负载开关和DC-DC转换器等场景。

参数

类型:N沟道
  最大漏极电流:1.0A
  最大漏-源电压:100V
  导通电阻(Rds(on)):1.2Ω @ Vgs=10V
  栅极电压范围:±20V
  功耗:300mW
  封装类型:SOT-23
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C

特性

2SK3924-01S MOSFET的核心特性在于其高效的功率开关性能。其低导通电阻(Rds(on))确保在导通状态下功率损耗最小,从而提高整体系统效率。此外,该器件具有较高的漏-源击穿电压(100V),可承受较大的电压应力,适用于多种中等功率应用。
  该MOSFET采用SOT-23小型封装,节省空间,便于在高密度电路板上使用。其良好的热稳定性和较高的最大工作温度(150°C)使其在高温环境下仍能保持稳定工作。
  栅极电压范围为±20V,使其适用于多种驱动电路,同时具备较强的抗过压能力。该器件的快速开关特性也使其适合用于高频开关应用,如DC-DC转换器和PWM控制电路。
  此外,2SK3924-01S具有较长的使用寿命和较高的可靠性,广泛用于工业控制、消费类电子产品和汽车电子系统中。

应用

2SK3924-01S MOSFET常用于电源管理电路中,如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、LED驱动器、电池充电器和负载开关控制。此外,它也广泛应用于电机驱动、继电器驱动、传感器接口电路以及各种便携式电子设备的电源控制模块中。由于其高可靠性和小型封装,该器件也适用于对空间要求较高的嵌入式系统和工业自动化设备。

替代型号

2SK3924-01S的替代型号包括2SK3924, 2SK3924-01L, 以及2SK3924-V。

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