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ESD8D12-S10T 发布时间 时间:2025/7/1 2:04:36 查看 阅读:7

ESD8D12-S10T 是一款基于硅技术的低电容多通道 ESD(静电放电)保护二极管阵列,专门设计用于保护高速数据线和信号线免受静电放电、电气快速瞬变 (EFT) 和其他过电压瞬态的影响。它适用于 USB 2.0/3.0、HDMI、DisplayPort 等高速接口应用。该器件具有超低电容特性,从而确保对高速信号传输的影响降到最低。
  ESD8D12-S10T 提供了双向保护功能,能够在正向和反向电压下均有效抑制瞬态电压。其封装形式为紧凑型 SOT-23-6 封装,适合在空间受限的应用中使用。

参数

工作电压:±12V
  最大箝位电压:15V
  动态电阻:≤1Ω
  电容:0.5pF(典型值)
  响应时间:≤1ns
  峰值脉冲电流:4A(8/20μs波形)
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:SOT-23-6

特性

ESD8D12-S10T 具有以下显著特性:
  1. 超低电容:仅为 0.5pF(典型值),非常适合高速数据线保护。
  2. 快速响应时间:小于等于 1ns,能够迅速抑制瞬态电压,保护后端电路。
  3. 高度可靠:符合 IEC 61000-4-2 标准,可承受 ±12kV 接触放电和 ±15kV 空气放电。
  4. 双向保护:支持正负方向的电压保护,提供全面防护。
  5. 小型封装:采用 SOT-23-6 封装,节省 PCB 空间。
  6. 广泛的工作温度范围:从 -55℃ 到 +150℃,适应多种环境条件。

应用

ESD8D12-S10T 主要应用于需要高速数据线保护的场景,包括但不限于:
  1. USB 2.0/3.0 接口保护。
  2. HDMI 接口保护。
  3. DisplayPort 接口保护。
  4. 高速通信线路保护,如以太网、LVDS 和 SATA。
  5. 移动设备中的射频线路保护。
  6. 工业自动化设备中的信号线保护。
  7. 汽车电子系统中的数据总线保护。

替代型号

ESD8D12-S6T, ESD8D12-WP6T

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