时间：2025/5/29 16:53:46
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LQG18HN47NJ00D 是一款由罗姆（ROHM）生产的功率半导体芯片，属于 H 系列 MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺，主要应用于高频开关和高效能电源管理领域。
这款 MOSFET 的特点是低导通电阻（Rds(on)），能够显著降低传导损耗，同时支持高频率下的快速切换，从而优化整体系统效率。其封装形式为 LFPAK8 封装，适合表面贴装技术（SMT），能够在紧凑的设计中提供出色的性能表现。
类型：N沟道增强型MOSFET
额定电压(Vds)：40V
额定电流(Id)：39A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷(Qg)：28nC（最大值）
开关速度：高速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装：LFPAK8
LQG18HN47NJ00D 具有非常低的导通电阻，这使其在大电流应用中表现出色，能够有效减少能量损耗并提升系统效率。
该芯片还具备较高的开关频率能力，适合于需要快速切换的应用场景，例如 DC-DC 转换器、同步整流电路以及电机驱动等。
此外，由于其工作温度范围较宽，从 -55℃ 到 +175℃，因此在极端环境下也能保持稳定性能。LFPAK8 封装不仅节省空间，还能确保良好的散热性能，非常适合对尺寸和热管理有严格要求的电子设备。
LQG18HN47NJ00D 广泛应用于各种功率转换和控制领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电池管理系统（BMS）中的负载开关或保护开关。
3. 电机驱动器中的功率级元件。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 汽车电子系统中的电源管理组件，如 DC-DC 转换器和逆变器。
6. LED 驱动器中的开关元件。
LQG18HN47NJ00DSH,LQG18HN47NJ00DTV
