时间：2025/9/1 17:54:56
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HY5116400AJ-70 是由现代电子（Hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，广泛应用于需要较高数据访问速度的电子设备中。这款芯片采用16M x 4位的组织结构，提供高速存储解决方案。其设计符合行业标准，能够满足工业和消费类电子产品的需求。
型号: HY5116400AJ-70
类型: DRAM
存储容量: 16M x 4位
工作电压: 3.3V
封装类型: SOJ
最大访问时间: 70ns
工作温度范围: 工业级（-40°C至+85°C）
引脚数: 50
接口类型: 异步
刷新周期: 64ms
HY5116400AJ-70具有出色的性能和可靠性，适用于需要快速数据访问的系统设计。其低功耗特性使其在便携式设备和嵌入式系统中表现出色。该芯片支持异步接口，能够适应多种应用需求。此外，该DRAM芯片的工业级温度范围设计确保其在严苛的环境条件下依然保持稳定运行。
为了保证高速运行的稳定性，HY5116400AJ-70采用了先进的CMOS技术制造，并集成了自刷新和低功耗模式，从而进一步降低功耗。这些特性使其成为通信设备、工业控制系统以及高端消费类电子产品中存储模块的理想选择。此外，该芯片的封装形式为SOJ，便于安装和使用，同时具备良好的散热性能，以确保长期稳定运行。
HY5116400AJ-70主要应用于需要高性能存储解决方案的设备中，如嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、通信设备以及各种消费类电子产品。由于其高速访问时间和低功耗特性，该芯片特别适用于需要频繁数据读写的场景，如图像处理、数据缓存和实时系统控制等。此外，其工业级温度范围使其适用于户外或恶劣环境下的设备运行。
TC51V161640BJ-70, KM416S1630CT-7, CY62167DV30LL-70B
