时间：2025/8/7 11:07:12
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MPV40RHI 是一款由 Microchip Technology 生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。该器件采用了先进的制造工艺，确保了其在高电流和高温环境下的稳定性能。
类型：功率 MOSFET
工艺：N 沟道增强型
最大漏源电压（Vds）：40V
最大漏极电流（Id）：260A
导通电阻（Rds(on)）：1.7mΩ（典型值）
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C 至 175°C
MPV40RHI 具有极低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了效率。其高电流容量和耐高温能力使其适合用于严苛的工业和汽车环境。
此外，该器件采用了坚固的 TO-247 封装，提供了良好的热管理和机械稳定性。其设计确保了在高频率开关应用中的优异性能，适用于 DC-DC 转换器、电机控制和电池管理系统等应用。
MPV40RHI 还具有优异的雪崩能量耐受能力，确保在过载或短路情况下器件的可靠性。
MPV40RHI 常用于电源管理系统、电动车辆的电池管理系统、工业电机控制、DC-DC 转换器以及高功率负载开关等应用场合。其高效率和高可靠性使其成为高性能电源设计的理想选择。
SiM441RAGE, IPW40R1K25CFD, IXFN260N40T
