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ITR20002 发布时间 时间:2025/8/29 20:23:44 查看 阅读:10

ITR20002是一款由Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的高速同步动态随机存取存储器(SDRAM)。该芯片专为需要高性能和低延迟存储解决方案的应用而设计,广泛应用于网络设备、通信系统、工业控制和嵌入式系统中。ITR20002属于ISSI的高性能存储器产品线,具备可靠的性能和稳定性,适用于对数据处理速度有较高要求的场景。

参数

容量:256K x 16位
  电源电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  访问时间:5.4ns
  最大时钟频率:166MHz
  数据速率:166MHz
  组织结构:256K地址 x 16位数据
  封装尺寸:54引脚

特性

ITR20002是一款高速CMOS静态RAM(SRAM)产品,具备异步和同步操作模式,适用于多种高性能应用。该芯片采用高速CMOS技术,具有低功耗、高可靠性和高速访问能力。其异步访问时间可低至5.4ns,允许在高速微处理器或数字信号处理器(DSP)环境中使用。该芯片支持芯片使能(CE)和输出使能(OE)控制,允许系统灵活地管理数据读写操作。此外,ITR20002还具备自动低功耗模式,当设备不处于活动状态时可显著降低功耗,提高能效。其TSOP封装形式适用于空间受限的应用,同时提供良好的散热性能。该器件符合工业级温度标准,可在严苛的环境条件下稳定运行。

应用

ITR20002广泛应用于通信基础设施设备、工业自动化系统、网络路由器和交换机、图像处理设备以及高端嵌入式系统。由于其高速访问时间和低功耗特性,它也常用于需要缓存存储器的微处理器系统和实时控制系统。在视频处理和数据采集系统中,ITR20002可用于临时存储高速数据流,提高系统的响应速度和稳定性。此外,该芯片也适用于需要高带宽和低延迟的测试与测量设备。

替代型号

IS61LV25616-10B4BLI-S6

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ITR20002参数

  • 标准包装150
  • 类别传感器,转换器
  • 家庭光学 - 反射式 - 模拟输出
  • 系列-
  • 检测距离0.236"(6mm)
  • 检测方法反射
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)30V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)20mA
  • 电流 - DC 正向(If)50mA
  • 输出类型光电晶体管
  • 响应时间*
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳4-DIP (0.100", 2.54mm)
  • 包装散装
  • 工作温度-40°C ~ 85°C