时间：2025/6/27 6:39:02
阅读：4
GSA18N65E 是一款 N 沱道功率 MOSFET，采用 TO-220 封装形式。该器件适用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用场合。其设计旨在提供高效率和低功耗特性，具有较低的导通电阻和良好的开关性能。
该 MOSFET 的最大漏源电压为 650V，适合在高压环境下工作，并且具备快速开关能力以满足现代电力电子系统的需求。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：0.45Ω
栅极电荷：39nC
输入电容：1250pF
总电容：20pF
反向传输电容：5.5pF
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
GSA18N65E 提供了以下显著特性：
1. 高耐压能力：能够承受高达 650V 的漏源电压，确保在高压环境下的可靠运行。
2. 大电流处理能力：连续漏极电流高达 18A，适用于大功率应用。
3. 低导通电阻：典型值为 0.45Ω，有助于降低导通损耗并提高整体效率。
4. 快速开关性能：较小的栅极电荷（39nC）使得器件能够在高频条件下高效工作。
5.支持从 -55℃ 到 +150℃ 的宽泛工作温度区间，适应多种恶劣工况。
6. 可靠性高：经过严格的质量控制流程制造，保证长期使用的稳定性。
GSA18N65E 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：包括适配器、充电器和工业电源等。
2. DC-DC 转换器：用于电池供电设备、汽车电子和通信电源中。
3. 电机驱动：如家用电器、工业设备中的无刷直流电机控制。
4. 逆变器：光伏逆变器和其他类型的能量转换系统。
5. 电磁兼容性电路：用作功率开关或保护元件。
IRF840,
STP18NF65,
FQA18N65,
IXTH18N65L
