EPC16UI8B 时间：2025/7/19 8:19:28 阅读：15

EPC16UI8B 是一款由 Efficient Power Conversion（EPC）公司推出的增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）。该器件采用了先进的氮化镓（GaN）半导体技术，具有优异的导通电阻、开关性能和热管理能力。EPC16UI8B 适用于高效率、高频开关电源应用，如DC-DC转换器、同步整流器、服务器电源、电机驱动器以及无线充电系统等。其高功率密度和快速开关速度使其成为传统硅基MOSFET的理想替代品。

参数

类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　连续漏极电流（ID）：50A
　　导通电阻（RDS(on)）：8mΩ
　　栅极电荷（QG）：10nC
　　反向恢复电荷（Qrr）：0
　　封装类型：BGA（球栅阵列）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

特性

EPC16UI8B 拥有卓越的电气性能和热管理能力，主要特性包括：
　　? 采用先进的氮化镓技术，提供比传统硅基MOSFET 更低的导通损耗和开关损耗，从而提高系统效率。
　　? 极低的导通电阻（RDS(on)）为8mΩ，可显著降低传导损耗，提高输出功率能力。
　　? 无反向恢复电荷（Qrr = 0），适用于高频率和硬开关拓扑，显著减少开关损耗和电磁干扰（EMI）。
　　? 栅极电荷低至10nC，有助于实现更快的开关速度和更高的工作频率，从而减小外部电感和电容的尺寸，提高功率密度。
　　? 采用BGA封装，提供更小的占板面积和更优的热性能，适合高功率密度设计。
　　? 支持宽工作温度范围（-55°C 至 150°C），适用于各种严苛环境下的应用，如工业控制、通信设备和高可靠性系统。
　　? 无需外部驱动器，简化了电路设计并降低了整体成本。
　　这些特性使 EPC16UI8B 成为高频、高效率、高功率密度应用的理想选择。

应用

EPC16UI8B 广泛应用于多个高性能电力电子系统中，例如：
　　? 高频DC-DC转换器：适用于服务器电源、电信设备和嵌入式系统，提供高效率和高功率密度的设计。
　　? 同步整流器：用于反激式和正激式转换器中，提升转换效率并减少发热。
　　? 电机驱动器：适用于高性能无刷直流电机（BLDC）和步进电机驱动，提高响应速度和能效。
　　? 无线充电系统：支持高频率工作，提升无线充电效率并减小系统体积。
　　? 软开关拓扑：如LLC谐振转换器、移相全桥（PSFB）转换器等，得益于其低开关损耗和零反向恢复电荷的特性。
　　? 高可靠性工业系统：适用于需要高稳定性和高温耐受性的工业自动化和控制设备。