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EPC16UI8B 发布时间 时间:2025/7/19 8:19:28 查看 阅读:6

EPC16UI8B 是一款由 Efficient Power Conversion(EPC)公司推出的增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)。该器件采用了先进的氮化镓(GaN)半导体技术,具有优异的导通电阻、开关性能和热管理能力。EPC16UI8B 适用于高效率、高频开关电源应用,如DC-DC转换器、同步整流器、服务器电源、电机驱动器以及无线充电系统等。其高功率密度和快速开关速度使其成为传统硅基MOSFET的理想替代品。

参数

类型:增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)
  最大漏源电压(VDS):100V
  连续漏极电流(ID):50A
  导通电阻(RDS(on)):8mΩ
  栅极电荷(QG):10nC
  反向恢复电荷(Qrr):0
  封装类型:BGA(球栅阵列)
  工作温度范围:-55°C 至 150°C

特性

EPC16UI8B 拥有卓越的电气性能和热管理能力,主要特性包括:
  ? 采用先进的氮化镓技术,提供比传统硅基MOSFET 更低的导通损耗和开关损耗,从而提高系统效率。
  ? 极低的导通电阻(RDS(on))为8mΩ,可显著降低传导损耗,提高输出功率能力。
  ? 无反向恢复电荷(Qrr = 0),适用于高频率和硬开关拓扑,显著减少开关损耗和电磁干扰(EMI)。
  ? 栅极电荷低至10nC,有助于实现更快的开关速度和更高的工作频率,从而减小外部电感和电容的尺寸,提高功率密度。
  ? 采用BGA封装,提供更小的占板面积和更优的热性能,适合高功率密度设计。
  ? 支持宽工作温度范围(-55°C 至 150°C),适用于各种严苛环境下的应用,如工业控制、通信设备和高可靠性系统。
  ? 无需外部驱动器,简化了电路设计并降低了整体成本。
  这些特性使 EPC16UI8B 成为高频、高效率、高功率密度应用的理想选择。

应用

EPC16UI8B 广泛应用于多个高性能电力电子系统中,例如:
  ? 高频DC-DC转换器:适用于服务器电源、电信设备和嵌入式系统,提供高效率和高功率密度的设计。
  ? 同步整流器:用于反激式和正激式转换器中,提升转换效率并减少发热。
  ? 电机驱动器:适用于高性能无刷直流电机(BLDC)和步进电机驱动,提高响应速度和能效。
  ? 无线充电系统:支持高频率工作,提升无线充电效率并减小系统体积。
  ? 软开关拓扑:如LLC谐振转换器、移相全桥(PSFB)转换器等,得益于其低开关损耗和零反向恢复电荷的特性。
  ? 高可靠性工业系统:适用于需要高稳定性和高温耐受性的工业自动化和控制设备。

替代型号

EPC2023, EPC2035, EPC2052

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