HV1812是一款高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于N沟道增强型器件。该系列器件适用于高电压应用环境,广泛用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。HV1812具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
这款芯片采用了先进的制造工艺,在保证性能的同时也提升了可靠性和耐用性。其封装形式为TO-220,便于散热管理,并且符合RoHS标准。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:12A
导通电阻:0.18Ω
栅极电荷:45nC
输入电容:1200pF
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-220
HV1812具备以下主要特性:
1. 高耐压能力,支持高达650V的漏源电压,适合多种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻(0.18Ω),减少了导通时的功率损耗,提高了整体效率。
3. 快速开关特性,有助于减少开关损耗并优化高频操作性能。
4. 具备较强的雪崩能量承受能力,增强了在异常情况下的保护性能。
5. 符合RoHS标准,绿色环保。
6. TO-220封装提供良好的散热性能,适合高功率密度的应用需求。
HV1812适用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)设计,作为主开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 逆变器和UPS系统中的功率转换模块。
4. 各类工业设备中的高压开关应用。
5. LED照明驱动电源中的功率开关元件。
6. 汽车电子中的辅助功能模块,如电动窗、座椅加热等系统的功率控制部分。
IRF840, STP12NK60Z, FQP17N60