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HV1812Y122JXHATHV 发布时间 时间:2025/7/12 1:43:37 查看 阅读:14

HV1812是一款高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于N沟道增强型器件。该系列器件适用于高电压应用环境,广泛用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。HV1812具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
  这款芯片采用了先进的制造工艺,在保证性能的同时也提升了可靠性和耐用性。其封装形式为TO-220,便于散热管理,并且符合RoHS标准。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻:0.18Ω
  栅极电荷:45nC
  输入电容:1200pF
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-220

特性

HV1812具备以下主要特性:
  1. 高耐压能力,支持高达650V的漏源电压,适合多种高压应用场景。
  2. 极低的导通电阻(0.18Ω),减少了导通时的功率损耗,提高了整体效率。
  3. 快速开关特性,有助于减少开关损耗并优化高频操作性能。
  4. 具备较强的雪崩能量承受能力,增强了在异常情况下的保护性能。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保。
  6. TO-220封装提供良好的散热性能,适合高功率密度的应用需求。

应用

HV1812适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计,作为主开关元件。
  2. 电机驱动电路中的功率级控制。
  3. 逆变器和UPS系统中的功率转换模块。
  4. 各类工业设备中的高压开关应用。
  5. LED照明驱动电源中的功率开关元件。
  6. 汽车电子中的辅助功能模块,如电动窗、座椅加热等系统的功率控制部分。

替代型号

IRF840, STP12NK60Z, FQP17N60

HV1812Y122JXHATHV参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,000 : ¥4.75838卷带(TR)
  • 系列HV
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1200 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定3000V(3kV)
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高电压
  • 等级-
  • 应用通用
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.106"(2.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-