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AOD604 发布时间 时间:2025/5/12 16:47:28 查看 阅读:4

AOD604是一款基于硅材料制成的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它主要应用于低电压、大电流场景下的开关和功率管理。AOD604具有较低的导通电阻,能够有效减少能量损耗,同时具备快速开关能力和良好的热稳定性。
  AOD604通常被用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等电路中,广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。

参数

最大漏源电压:20V
  最大栅源电压:±8V
  持续漏极电流:9.7A
  导通电阻:35mΩ
  栅极电荷:11nC
  开关速度:快速开关
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

AOD604采用了先进的制造工艺,使其具备以下优势:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流条件下保持高效的性能。
  2. 快速开关能力,适合高频应用场合。
  3. 高度集成的封装形式,节省PCB板空间。
  4. 优异的热稳定性,保证在极端温度条件下的可靠运行。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  这些特点使得AOD604成为许多高效能电源管理解决方案的理想选择。

应用

AOD604因其出色的电气特性和紧凑的封装形式,适用于多种应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. 便携式电子设备中的负载开关。
  3. 直流电机驱动和控制。
  4. 电池保护电路。
  5. 各类功率变换器和逆变器。
  其低导通电阻和快速开关能力非常适合于需要高效能和小体积的设计方案。

替代型号

AO3400
  IRLZ44N
  FDP16N06L

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AOD604参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C33 毫欧 @ 8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs9.2nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds404pF @ 20V
  • 功率 - 最大20W,30W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-6,DPak(5 引线 + 接片)
  • 供应商设备封装TO-252-5
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1117-6