类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　连续漏极电流（ID）：26A
　　导通电阻（RDS(on)）：约45mΩ（典型值，VGS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：约40nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：约1600pF（典型值）
　　封装形式：SOP
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　功率耗散（PD）：100W（典型值，Tc=25°C）

EMB26N10H MOSFET 具有多种优良特性，使其在高功率密度应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可以显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，采用先进的沟槽式结构设计，优化了开关性能，减少了开关过程中的能量损耗。此外，该器件具有较高的电流承载能力，可在高负载条件下稳定运行。
　　EMB26N10H 的封装设计兼顾了散热性能和空间利用率，适用于需要紧凑布局的电路设计。其SOP封装形式便于自动化装配，适用于表面贴装技术（SMT），提高了生产效率和可靠性。在热管理方面，该器件在正常工作条件下可有效散热，保持较低的结温，延长使用寿命。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，通常在10V左右即可完全导通，兼容常见的驱动电路设计。同时，其具备较高的dv/dt耐受能力，有助于在高频开关应用中保持稳定工作。EMB26N10H 还具有较低的漏电流，在高温环境下仍能保持良好的关断性能。

EMB26N10H 主要应用于需要高效功率控制的电子设备中。例如，在电源适配器和AC-DC电源中，作为主开关器件使用，以提高转换效率并减少热量产生。在DC-DC转换器中，EMB26N10H 可作为同步整流器或主开关，用于提升轻载和满载条件下的效率表现。
　　此外，该器件也适用于电池管理系统中的充放电控制电路，能够有效管理电池能量的流动。在电动工具、无人机、工业控制系统和汽车电子系统中，EMB26N10H 可用于电机驱动、负载开关和功率分配控制等场合。
　　由于其高可靠性和良好的热稳定性，EMB26N10H 也常用于需要长时间运行的工业设备和通信电源系统中，确保设备在恶劣环境下仍能稳定工作。

TKA26N10K3,TMB26N10K,TMB26N10KH