时间：2025/6/3 12:04:56
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LFSN25N29C1897BAH-983 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT）。该器件采用先进的封装工艺，具有出色的高频和高功率性能，适用于射频功率放大器、通信系统以及其他高频应用。此型号设计旨在提供高效能与高可靠性的结合，特别适合需要高性能和小尺寸的应用场景。
类型：增强型场效应晶体管
漏源极电压(Vds)：29V
栅源极电压(Vgs)：±6V
连续漏极电流(Id)：25A
输出功率：30W
导通电阻(Rds(on))：18mΩ
结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-263
1. 采用氮化镓（GaN）半导体技术，具备更高的功率密度和效率。
2. 高开关速度和低导通电阻，确保较低的传导损耗。
3. 优化的热管理设计，支持长时间稳定运行。
4. 出色的电气性能使其非常适合于高频、高功率应用。
5. 小型化设计减少整体解决方案的体积，便于系统集成。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
1. 射频功率放大器
2. 无线通信基站
3. 雷达系统
4. 医疗成像设备
5. 工业加热与等离子体生成
6. 高效DC-DC转换器
7. 能量收集及逆变器系统
