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LFSN25N29C1897BAH-983 发布时间 时间:2025/6/3 12:04:56 查看 阅读:5

LFSN25N29C1897BAH-983 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT)。该器件采用先进的封装工艺,具有出色的高频和高功率性能,适用于射频功率放大器、通信系统以及其他高频应用。此型号设计旨在提供高效能与高可靠性的结合,特别适合需要高性能和小尺寸的应用场景。

参数

类型:增强型场效应晶体管
  漏源极电压(Vds):29V
  栅源极电压(Vgs):±6V
  连续漏极电流(Id):25A
  输出功率:30W
  导通电阻(Rds(on)):18mΩ
  结温范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-263

特性

1. 采用氮化镓(GaN)半导体技术,具备更高的功率密度和效率。
  2. 高开关速度和低导通电阻,确保较低的传导损耗。
  3. 优化的热管理设计,支持长时间稳定运行。
  4. 出色的电气性能使其非常适合于高频、高功率应用。
  5. 小型化设计减少整体解决方案的体积,便于系统集成。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保。

应用

1. 射频功率放大器
  2. 无线通信基站
  3. 雷达系统
  4. 医疗成像设备
  5. 工业加热与等离子体生成
  6. 高效DC-DC转换器
  7. 能量收集及逆变器系统

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