时间：2025/8/15 9:10:21
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UF3C065080K4S 是 UnitedSiC（United Silicon Carbide）推出的一款碳化硅（SiC）功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件基于先进的碳化硅半导体技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于高效率、高功率密度的电力电子系统。UF3C065080K4S 采用 4 引脚 TO-247 封装，有助于减少开关损耗并提高整体系统效率。
类型：碳化硅MOSFET
最大漏源电压（VDS）：650V
最大漏极电流（ID）：80A
导通电阻（RDS(on)）：约16mΩ
封装形式：TO-247，4引脚
栅极电压范围：-10V 至 +20V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
UF3C065080K4S 的最大漏源电压为 650V，最大漏极电流为 80A，导通电阻仅为约 16mΩ，使其适用于高功率和高效率应用。该器件基于碳化硅材料，具有比传统硅基 MOSFET 更高的热导率和更高的击穿电场强度，从而在高温和高电压条件下仍能保持稳定运行。
采用 4 引脚 TO-247 封装（也称为 Kelvin Source 封装），有助于减少栅极振荡和开关损耗，提高开关性能。这种封装方式将功率源极和信号源极分开，使得驱动电路能够更精确地控制 MOSFET 的导通与关断状态，从而优化系统效率。
该器件的栅极电压范围为 -10V 至 +20V，支持负压关断，增强其在高噪声环境下的抗干扰能力，并提升可靠性。工作温度范围宽，从 -55°C 到 +175°C，适合在极端温度条件下使用。此外，SiC MOSFET 具有零反向恢复损耗，适用于高频率开关应用，从而提高整体系统的效率和响应速度。
UF3C065080K4S 主要用于需要高效率和高功率密度的电力电子系统，如电动汽车（EV）车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器、光伏逆变器、储能系统、工业电源、服务器电源、UPS（不间断电源）以及电机驱动系统等。
在电动汽车应用中，UF3C065080K4S 可用于车载充电器和主驱逆变器，提升能效并减少散热需求。在可再生能源领域，如太阳能逆变器中，该器件能够实现更高的转换效率和更紧凑的系统设计。此外，其出色的高温稳定性和快速开关特性也使其适用于高频率、高效率的工业和通信电源系统。
SiC MOSFET 替代型号包括：Cree/Wolfspeed 的 C3M0016120D（1200V, 80A）、Infineon 的 IMZA65R1K0M1H（650V, 100A）、ON Semiconductor 的 NTHL060N080SC1（800V, 60A）以及 STMicroelectronics 的 SCT040H120B（1200V, 80A）等。
