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MJD253T4G 发布时间 时间:2023/3/31 11:18:21 查看 阅读:397

类型:PNP

目录

概述

类型:PNP

集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):100

集电极最大电流IC(Max)(A):4

直流电流增益hFE最小值(dB):40

直流电流增益hFE最大值(dB):180

最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):40

总功耗PD(W):12.500

封装/温度(℃):3DPAK/-65~150

资料

厂商
ON Semiconductor

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MJD253T4G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)4A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)600mV @ 100mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)40 @ 200mA,1V
  • 功率 - 最大1.4W
  • 频率 - 转换40MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装DPAK-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MJD253T4GOSMJD253T4GOS-NDMJD253T4GOSTR