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EL816S1(D) 发布时间 时间:2025/8/29 14:41:10 查看 阅读:11

EL816S1(D)是一款由瑞萨电子(Renesas Electronics)生产的光耦合器(光电耦合器)集成电路。该器件由一个红外发光二极管(LED)和一个光电晶体管组成,用于在电气隔离的情况下实现信号的传输。EL816S1(D)广泛应用于工业控制、电源管理和通信系统中,以防止高电压对低电压电路造成损害。该器件采用双列直插式封装(DIP-4),适合通孔安装,并具有较高的绝缘耐压能力。

参数

类型:光耦合器(光电晶体管输出)
  电流传输比(CTR):50%~600%(根据型号后缀不同)
  正向电压(VF):1.2V @ 10mA
  集电极-发射极电压(VCE):30V
  最大工作温度:-55°C~125°C
  封装类型:DIP-4
  绝缘电压:5000Vrms

特性

EL816S1(D)光耦合器具有多个显著特性,确保其在多种应用中的可靠性和性能。首先,其高绝缘电压(5000Vrms)提供了良好的电气隔离,适用于需要高安全等级的系统。其次,该器件的电流传输比(CTR)范围广泛,从50%到600%不等,具体取决于型号后缀,使其能够适应不同的输入和输出要求。此外,EL816S1(D)具有较低的正向电压降(1.2V @ 10mA),这意味着它在运行时的功耗较低,有助于减少热量生成。
  该光耦合器的集电极-发射极电压(VCE)最大可达30V,允许其在较宽的电压范围内工作,适用于多种直流和交流应用。EL816S1(D)的工作温度范围为-55°C至125°C,表明其在极端环境条件下仍能保持稳定运行。此外,该器件的响应时间较快,适用于数字信号传输,尽管它不是高速光耦,但在一般控制和隔离应用中表现良好。
  EL816S1(D)采用标准的DIP-4封装,便于通孔焊接和安装,广泛用于PCB设计。该封装形式也确保了良好的机械稳定性。由于其优良的隔离性能和可靠性,EL816S1(D)在工业自动化、电源转换、电机控制以及通信设备中得到了广泛应用。

应用

EL816S1(D)光耦合器主要应用于需要电气隔离的电路系统中。其最常见的用途是作为信号隔离器,用于微控制器与高电压设备(如继电器、马达或高压电源)之间的通信。在工业自动化系统中,该器件可用于隔离PLC(可编程逻辑控制器)与外部传感器或执行器之间的信号路径,从而提高系统的安全性与稳定性。
  在电源管理领域,EL816S1(D)可用于反馈电路中,例如在开关电源(SMPS)中实现输出电压的隔离反馈控制。它也被广泛应用于变频器、逆变器和电池管理系统中,用于隔离高压和低压部分。
  此外,EL816S1(D)也适用于通信设备中的信号隔离,例如RS-485通信接口、隔离式I2C或SPI总线等。在家电控制电路中,如洗衣机、空调和微波炉等,该光耦合器常用于隔离主控单元与外部负载之间的信号连接。
  由于其高可靠性和广泛的温度适应性,EL816S1(D)也常用于汽车电子系统中,如车身控制模块、电池管理系统和车载充电器等。

替代型号

PC817、TLP521、LTV-817、HCNR200

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