时间：2025/6/22 3:56:46
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GA1812A561FXAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够在高频应用中提供优异的效率和可靠性。
这种 MOSFET 属于 N 沟道增强型，其设计使其非常适合在需要高效能量转换的应用场景中使用，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电池保护电路等。
类型：N沟道 MOSFET
电压（Vds）：60V
电流（Id）：47A
导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ
栅极电荷（Qg）：39nC
输入电容（Ciss）：2350pF
漏源极电荷（Crss）：330pF
输出电容（Coss）：180pF
最大工作结温：175°C
GA1812A561FXAAR31G 的主要特点是低导通电阻和高效率，同时具有出色的热性能和耐用性。以下为详细特性：
- 极低的 Rds(on) 值 (5.5mΩ)，可以有效减少导通损耗并提高整体效率。
- 高额定电流 (47A) 和耐压值 (60V)，确保其在多种应用场景中的可靠运行。
- 快速开关能力得益于较小的栅极电荷 (39nC)，可降低开关损耗。
- 内置反向二极管功能，支持续流路径，适用于电机驱动和同步整流电路。
- 提供卓越的热性能，使器件能够承受更高的功率密度和更恶劣的工作环境。
- 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业需求。
这款功率 MOSFET 主要用于对效率和功率密度要求较高的场合，典型应用包括：
- 开关电源 (SMPS) 中的主开关或同步整流开关。
- DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
- 电机驱动电路中的功率级元件。
- 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关或保护开关。
- 工业自动化设备中的功率控制模块。
- LED 驱动器和其他大电流应用中的功率调节部件。
GA1812A561FXAAR31H, IRFZ44N, FDP5512
