时间：2025/9/1 16:25:21
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H9HCNNNCPMMLXR-NEER 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片采用了先进的制造工艺和高密度封装技术，广泛用于需要大容量内存和高性能数据处理的应用场景。这款DRAM芯片属于Hynix的H9系列，具有低功耗、高速度和高稳定性的特点。
类型：DRAM
容量：4GB
封装类型：BGA
工作电压：1.2V
接口类型：x16
频率：800MHz
数据速率：1600Mbps
工作温度范围：-40°C至+85°C
H9HCNNNCPMMLXR-NEER 的主要特性包括其高容量和低功耗设计，使其非常适合用于需要高性能内存的设备。这款DRAM芯片采用了先进的1x纳米工艺技术，提供了卓越的能效和稳定性。此外，该芯片支持多种低功耗模式，能够有效延长设备的电池寿命并减少散热问题。
该芯片的另一个显著特点是其高数据传输速率，能够在高频下稳定运行，适用于需要快速数据处理的应用场景，如移动设备、嵌入式系统和高性能计算设备。同时，H9HCNNNCPMMLXR-NEER 采用了BGA（球栅阵列）封装技术，具有良好的散热性能和机械稳定性，确保了在复杂环境下的可靠运行。
此外，H9HCNNNCPMMLXR-NEER 支持自动刷新和自刷新功能，能够在不同的工作条件下保持数据的完整性。其设计也符合RoHS标准，确保了环保和可持续性。
H9HCNNNCPMMLXR-NEER 主要应用于高端移动设备、平板电脑、服务器、嵌入式系统以及需要大容量内存和高性能数据处理能力的工业设备。由于其低功耗和高稳定性，该芯片也广泛用于便携式电子产品和需要长时间运行的工业控制系统。
H9HCNNNCPMMLXR-NEFR，H9HCNNNCPMMLX-NEER，H9HCNNNCPMMLYR-NEER
