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HY030N06C2 发布时间 时间:2025/9/2 3:18:17 查看 阅读:10

HY030N06C2是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由东芝(Toshiba)生产。该器件适用于高效率电源转换和功率管理应用,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。HY030N06C2采用先进的沟槽式技术制造,能够在高频率下工作,适用于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动和负载开关等应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):30A
  最大漏源电压(VDS):60V
  导通电阻(RDS(on)):5.2mΩ(典型值)
  栅极阈值电压(VGS(th)):1.5V ~ 3.0V
  最大功耗(PD):94W
  封装形式:TO-252(DPAK)
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C

特性

HY030N06C2具备多项优异的电气和热性能,适用于高效率功率转换系统。
  首先,该器件的导通电阻仅为5.2mΩ,显著降低了导通损耗,提高了系统效率。在高电流负载下,低RDS(on)可以有效降低功率损耗和发热,提高系统的稳定性和可靠性。
  其次,HY030N06C2的最大漏极电流为30A,漏源电压为60V,适用于中高功率的DC-DC转换器、电机驱动和电源管理系统。该MOSFET具有良好的短时过载能力,能够在瞬态条件下保持稳定运行。
  此外,该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,提供了更高的开关速度和更低的开关损耗,使其适用于高频开关电源应用。栅极电荷(Qg)较低,有助于减少驱动电路的功耗。
  HY030N06C2采用TO-252(DPAK)封装,具备良好的散热性能,适用于表面贴装工艺,便于在PCB上布局和自动化生产。
  最后,该器件符合RoHS环保标准,无铅封装,适用于工业级和消费类电子产品。

应用

HY030N06C2广泛应用于各类高效率功率电子系统中。
  在DC-DC转换器中,HY030N06C2常用于同步整流器或主开关器件,提高转换效率并减少发热。在服务器电源、通信电源和电池管理系统中,该MOSFET可以用于高频率开关电路,提供稳定可靠的功率控制。
  在电机驱动系统中,HY030N06C2可用于H桥驱动或PWM控制电路,其高电流能力和低导通电阻有助于提高电机效率和响应速度。
  此外,该器件还可用于负载开关、电源管理模块、LED驱动器以及各类便携式电子设备的功率管理电路中。由于其高频开关能力和良好的热稳定性,HY030N06C2也适用于高密度电源模块和高效能计算设备中的电源转换应用。

替代型号

SiR344DP-T1-GE3, FDD3600NS, NTD3055L17T4G

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