HY030N06C2 时间：2025/9/2 3:18:17 阅读：25

HY030N06C2是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东芝（Toshiba）生产。该器件适用于高效率电源转换和功率管理应用，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。HY030N06C2采用先进的沟槽式技术制造，能够在高频率下工作，适用于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动和负载开关等应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　导通电阻（RDS(on)）：5.2mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.5V ~ 3.0V
　　最大功耗（PD）：94W
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

特性

HY030N06C2具备多项优异的电气和热性能，适用于高效率功率转换系统。
　　首先，该器件的导通电阻仅为5.2mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。在高电流负载下，低RDS(on)可以有效降低功率损耗和发热，提高系统的稳定性和可靠性。
　　其次，HY030N06C2的最大漏极电流为30A，漏源电压为60V，适用于中高功率的DC-DC转换器、电机驱动和电源管理系统。该MOSFET具有良好的短时过载能力，能够在瞬态条件下保持稳定运行。
　　此外，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了更高的开关速度和更低的开关损耗，使其适用于高频开关电源应用。栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的功耗。
　　HY030N06C2采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，便于在PCB上布局和自动化生产。
　　最后，该器件符合RoHS环保标准，无铅封装，适用于工业级和消费类电子产品。

应用

HY030N06C2广泛应用于各类高效率功率电子系统中。
　　在DC-DC转换器中，HY030N06C2常用于同步整流器或主开关器件，提高转换效率并减少发热。在服务器电源、通信电源和电池管理系统中，该MOSFET可以用于高频率开关电路，提供稳定可靠的功率控制。
　　在电机驱动系统中，HY030N06C2可用于H桥驱动或PWM控制电路，其高电流能力和低导通电阻有助于提高电机效率和响应速度。
　　此外，该器件还可用于负载开关、电源管理模块、LED驱动器以及各类便携式电子设备的功率管理电路中。由于其高频开关能力和良好的热稳定性，HY030N06C2也适用于高密度电源模块和高效能计算设备中的电源转换应用。