时间：2025/7/11 10:45:39
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PESD0603V18U 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的静电放电 (ESD) 保护二极管阵列，专为高速信号线提供卓越的瞬态电压抑制能力。该器件采用超小型芯片级封装（CSP），非常适合空间受限的应用场景。其设计符合 IEC 61000-4-2 国际标准，能够承受高达±18kV 的接触放电和±20kV 的空气放电，确保敏感电子设备免受 ESD 损害。
此型号具有超低的电容特性（典型值为 0.5pF），使其成为高速数据接口的理想选择，例如 USB 3.1、HDMI、DisplayPort 和其他高频信号传输线路。
工作电压：18V
峰值脉冲电流：±1A
箝位电压：24.7V
结电容：0.5pF
响应时间：<1ns
封装类型：0603 (CSP)
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
PESD0603V18U 提供了以下关键特性：
1. 极低的负载电容（0.5pF），最大限度地减少对高速信号完整性的干扰。
2. 快速响应时间 (<1ns)，可有效捕获瞬态电压尖峰。
3. 高度可靠的 ESD 防护性能，满足 IEC 61000-4-2 标准的要求。
4. 超紧凑的尺寸（0603 封装），适合在高密度 PCB 设计中使用。
5. 卓越的热稳定性和长期可靠性，适应恶劣的工作环境。
6. RoHS 合规，环保无铅设计。
7. 双向保护功能，简化电路设计并减少元件数量。
该元器件广泛应用于需要高性能 ESD 保护的领域，包括：
1. 高速数据接口保护，如 USB 3.1/3.2、USB Type-C、HDMI、DisplayPort 等。
2. 移动设备中的射频前端保护，例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。
3. 工业自动化设备中的信号链路保护。
4. 汽车电子系统中的高速通信总线防护，如 CAN-FD 和 FlexRay。
5. 光模块和光纤通信设备中的信号完整性保障。
PESD0603V24U, PESD0603V33U, PESD0603V50U
