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5AGXFB3H4F35I3N 发布时间 时间:2025/7/1 11:54:44 查看 阅读:13

5AGXFB3H4F35I3N 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载开关等应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。其封装形式通常为表面贴装类型,便于自动化生产和高效散热。
  这款芯片通过优化设计实现了较低的栅极电荷,从而提高了效率并降低了功耗,非常适合高频开关应用场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻(典型值):2.5mΩ
  栅极电荷(Qg):35nC
  开关频率范围:高达500kHz
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-252

特性

5AGXFB3H4F35I3N 具有以下主要特点:
  1. 极低的导通电阻,可有效减少传导损耗。
  2. 高效的开关性能,适合高频应用环境。
  3. 良好的热稳定性,能够承受较高结温。
  4. 内置ESD保护功能,提升了器件的可靠性。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  6. 封装紧凑,易于集成到各种电路板中。

应用

该芯片广泛应用于多个领域,包括但不限于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器的核心功率元件。
  3. 电动工具和家用电器的电机驱动电路。
  4. 各类负载开关和保护电路。
  5. 汽车电子系统的电源管理模块。
  由于其出色的性能和可靠性,5AGXFB3H4F35I3N 成为了许多工程师在设计高效功率转换电路时的首选方案。

替代型号

5AGXFB3H4F35I3P, 5AGXFB3H4F35I3Q

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