品牌：Sanken
　　型号：STR-A6259H
　　器件类型：集成PWM控制器+MOSFET
　　封装形式：MIP-7G或类似紧凑型模块封装
　　内置功率器件：N沟道MOSFET
　　MOSFET耐压值：650V
　　最大输出功率：约30W（典型应用）
　　工作频率范围：40kHz ~ 100kHz（可变频率准谐振模式）
　　启动电压：约12V（内部高压启动电流源）
　　供电电压范围：9V ~ 20V（正常工作范围）
　　电流检测阈值：典型1V（峰值电流限制）
　　反馈控制方式：电流模式控制
　　保护功能：过载保护（OLP）、过压保护（OVP）、过热保护（OTP）、前沿消隐（LEB）
　　工作温度范围：-20°C ~ +105°C（结温可达150°C）
　　引脚数量：7个主要功能引脚（集成在模块内）

STR-A6259H采用准谐振（Quasi-Resonant, QR）控制技术，在开关管导通时选择变压器初级电感电流与寄生振荡电压波谷处进行开启，从而实现零电压开关（ZVS），有效降低开关损耗，提高整体转换效率。这种工作模式特别适用于轻载和中等负载条件下保持高效率，符合现代节能电源的设计需求。
　　该芯片内部集成了一个高压启动电流源，能够在上电时直接从整流后的母线电压为控制IC提供启动电流，无需额外的启动电阻网络或偏置绕组，这不仅简化了电路设计，还加快了启动速度，同时减少了待机功耗。一旦电源正常运行，芯片将切换至由辅助绕组供电，确保持续稳定的电源供应。
　　STR-A6259H具备完善的多重保护机制。当发生输出短路、过载等情况时，芯片会自动进入打嗝模式（Hiccup Mode），周期性地尝试重启，防止持续过热损坏。过压保护通过监测反馈引脚电压实现，若反馈回路异常导致输出电压升高，芯片将立即关闭输出以保护后级电路。过热保护则利用集成的温度传感器实时监控芯片温度，当超过设定阈值时自动切断驱动信号，直到温度下降才恢复工作。
　　为了抑制电磁干扰，芯片内置前沿消隐电路（Leading Edge Blanking），可有效滤除MOSFET开通瞬间产生的电流尖峰干扰，避免误触发电流检测比较器，提升系统稳定性。此外，其可变频率调制策略也有助于分散EMI能量，使其更容易通过EMC认证测试。
　　由于STR-A6259H将控制器与功率MOSFET集成在一个紧凑的模块封装中，极大地减少了寄生参数的影响，增强了抗噪声能力，并降低了对PCB布局的敏感性。这对于追求高可靠性和小体积的消费类电子产品尤为重要。同时，该设计也便于自动化贴装，适合大规模生产应用。

STR-A6259H主要用于各类需要高效、稳定且低成本AC-DC电源转换的电子设备中。其典型应用场景包括液晶电视机的待机电源或辅助电源系统，这类电源通常要求低待机功耗和高可靠性，而该芯片的准谐振工作模式和集成化设计正好满足这些需求。此外，它也被广泛用于计算机显示器、多功能一体机、打印机、路由器、机顶盒等信息家电产品中，作为主电源或备用电源的核心控制单元。
　　在家用电器领域，STR-A6259H可用于微波炉、洗衣机、空调室内机等设备的控制板供电电源，提供稳定的直流电压供MCU和传感器使用。由于其具备较强的抗浪涌能力和温度适应性，即使在电网波动较大或环境温度较高的情况下也能稳定工作。
　　工业控制设备中的一些小型电源模块也会采用STR-A6259H，尤其是在空间受限且对成本敏感的应用场合。例如，小型PLC、继电器模块、智能电表等设备常使用此类集成电源方案来实现隔离型DC供电。
　　此外，该芯片还可用于电池充电器、LED照明驱动电源等低功率离线式开关电源设计中。尽管其最大输出功率有限（一般不超过30W），但对于许多非隔离或隔离式反激拓扑结构的小功率应用而言，已足够胜任。结合适当的变压器设计和外围元件选型，能够实现高效率、低纹波的稳定输出电压。
　　随着全球对能源效率法规的日益严格，STR-A6259H凭借其优异的轻载效率表现和内置节能模式，成为满足Energy Star、CEC Title 20、EuP Lot 6等国际能效标准的理想选择，广泛服务于出口型电子产品市场。

STR-A626x系列（如STR-A6263H、STR-A6265H）
　　TNY285GN（Power Integrations）
　　VIPER26K
　　OB2263（On-Bright）
　　ICE2QS03G（Infineon）