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GA1206A222GBCBT31G 发布时间 时间:2025/7/1 14:54:34 查看 阅读:8

GA1206A222GBCBT31G 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于功率转换和电源管理领域。该型号属于沟道增强型器件,具有低导通电阻、高开关速度以及良好的热性能等特性,适合在高频开关应用中使用。

参数

类型:MOSFET
  封装形式:TO-263
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):85A
  导通电阻(Rds(on)):2.9mΩ
  总功耗(Ptot):140W
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃
  栅极电荷(Qg):77nC

特性

GA1206A222GBCBT31G 提供了非常低的导通电阻 Rds(on),这有助于减少导通损耗并提高效率。
  它还具备快速的开关速度,可满足高频电路需求。
  其封装设计能够有效提升散热性能,适用于对热管理要求较高的场景。
  此外,该器件的工作温度范围宽广,能够在极端环境下稳定运行。

应用

这款 MOSFET 通常用于 DC-DC 转换器、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率切换的应用中。
  由于其高电流处理能力和低导通电阻,也常被用作同步整流器或负载开关。
  另外,在太阳能微逆变器及 UPS 系统中也有广泛应用。

替代型号

GA1206A222GB, IRF540N, FDP5800

GA1206A222GBCBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2200 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-