时间：2025/7/1 14:54:34
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GA1206A222GBCBT31G 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率转换和电源管理领域。该型号属于沟道增强型器件，具有低导通电阻、高开关速度以及良好的热性能等特性，适合在高频开关应用中使用。
类型：MOSFET
封装形式：TO-263
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：85A
导通电阻(Rds(on))：2.9mΩ
总功耗(Ptot)：140W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
栅极电荷(Qg)：77nC
GA1206A222GBCBT31G 提供了非常低的导通电阻 Rds(on)，这有助于减少导通损耗并提高效率。
它还具备快速的开关速度，可满足高频电路需求。
其封装设计能够有效提升散热性能，适用于对热管理要求较高的场景。
此外，该器件的工作温度范围宽广，能够在极端环境下稳定运行。
这款 MOSFET 通常用于 DC-DC 转换器、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率切换的应用中。
由于其高电流处理能力和低导通电阻，也常被用作同步整流器或负载开关。
另外，在太阳能微逆变器及 UPS 系统中也有广泛应用。
GA1206A222GB, IRF540N, FDP5800
