类型：红外发射二极管（IR Emitter）
　　发射波长：约870nm至940nm（典型值940nm）
　　正向电流：100mA（最大值）
　　反向电压：5V
　　耗散功率：150mW
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　存储温度范围：-40°C至+100°C
　　封装形式：直插式（Through Hole）
　　视角：约±30°
　　峰值波长：940nm
　　光功率输出：最小1.5W/sr（在If=100mA时）

EFM307L-T采用了高性能的GaAs发光材料，具备出色的光输出能力和稳定的波长特性，能够在各种环境条件下保持一致性。该器件具有低功耗设计，适合需要长时间运行的应用场景。其直插式封装设计不仅增强了机械稳定性，还简化了安装过程，降低了PCB布局的复杂性。EFM307L-T的宽工作温度范围使其能够在工业级环境中可靠运行，适用于自动化控制、安防系统和消费类电子产品中的红外发射需求。此外，该器件的高抗干扰能力和良好的抗湿热性能进一步提升了其在严苛环境中的可靠性。
　　EFM307L-T的视角设计为±30°，确保了较宽的检测或发射范围，适用于需要较大覆盖角度的应用，如红外遥控和光耦合器。其光功率输出性能优异，在100mA电流驱动下，可提供高达1.5W/sr的辐射强度，确保远距离或高灵敏度检测的可行性。器件的封装材料具备良好的热导性能，有效降低了工作时的温升，从而延长了使用寿命。此外，EFM307L-T的设计符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适合绿色电子产品的开发。

EFM307L-T主要用于红外遥控装置、光耦合器、红外感应系统、安防监控设备、自动门控系统、光电开关、工业自动化控制、消费类电子产品中的红外发射模块等。由于其高性能和稳定性，EFM307L-T也适用于需要高可靠性设计的工业级设备，如传感器网络和远程控制模块。

TSAL6200, SFH415, IR2M-05C