时间：2025/6/20 17:42:00
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V6R2D0201C0G500NAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于各种电源管理场景。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频工作条件下保持高效的性能表现。
其封装形式为 TO-247，适合大功率应用场合，同时具备良好的散热性能。
型号：V6R2D0201C0G500NAT
类型：功率 MOSFET
Vds（漏源极耐压）：650V
Rds(on)（导通电阻）：2.0mΩ
Id（连续漏极电流）：200A
Qg（栅极电荷）：125nC
Vgs(th)（栅极开启电压）：3V~5V
Pd（最大功耗）：300W
f（工作频率）：高达 100kHz
封装：TO-247
V6R2D0201C0G500NAT 的主要特点是低导通电阻、高耐压和出色的开关性能。这使得它非常适合用于需要高效能量转换的应用中。
该器件还具有较低的栅极电荷和输出电容，从而减少了开关损耗，并提高了整体效率。
此外，它的高耐压能力确保了在复杂电力系统中的稳定运行，而优化的热设计则允许在高温环境下长时间可靠工作。
此芯片的先进封装技术提供了更佳的散热性能，进一步增强了系统的耐用性和稳定性。
这款功率 MOSFET 广泛应用于工业和消费类电子产品中，包括但不限于以下领域：
- 开关电源（SMPS）
- 不间断电源（UPS）
- 电动机驱动控制
- 太阳能逆变器
- 汽车电子系统
- LED 驱动电路
凭借其卓越的电气特性和可靠性，V6R2D0201C0G500NAT 成为许多高性能应用的理想选择。
V6R2D0201C0G400NAT
V6R2D0201C0G600NAT
