V6R2D0201C0G500NAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于各种电源管理场景。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够在高频工作条件下保持高效的性能表现。
其封装形式为 TO-247,适合大功率应用场合,同时具备良好的散热性能。
型号:V6R2D0201C0G500NAT
类型:功率 MOSFET
Vds(漏源极耐压):650V
Rds(on)(导通电阻):2.0mΩ
Id(连续漏极电流):200A
Qg(栅极电荷):125nC
Vgs(th)(栅极开启电压):3V~5V
Pd(最大功耗):300W
f(工作频率):高达 100kHz
封装:TO-247
V6R2D0201C0G500NAT 的主要特点是低导通电阻、高耐压和出色的开关性能。这使得它非常适合用于需要高效能量转换的应用中。
该器件还具有较低的栅极电荷和输出电容,从而减少了开关损耗,并提高了整体效率。
此外,它的高耐压能力确保了在复杂电力系统中的稳定运行,而优化的热设计则允许在高温环境下长时间可靠工作。
此芯片的先进封装技术提供了更佳的散热性能,进一步增强了系统的耐用性和稳定性。
这款功率 MOSFET 广泛应用于工业和消费类电子产品中,包括但不限于以下领域:
- 开关电源(SMPS)
- 不间断电源(UPS)
- 电动机驱动控制
- 太阳能逆变器
- 汽车电子系统
- LED 驱动电路
凭借其卓越的电气特性和可靠性,V6R2D0201C0G500NAT 成为许多高性能应用的理想选择。
V6R2D0201C0G400NAT
V6R2D0201C0G600NAT